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以創新的保護方法適應 ESD保護界線變化

作者: 時間:2011-01-02 來源:網絡 收藏

XS封裝的架構(見圖1)讓接地層一直貫穿于封裝的下面,這表示所有焊盤至裸片的線邦定的長度都相同,使得電感匹配,無須電路板設計人員采取任何補償措施。此外,在另一個確保提供可靠方案的重要因素——動態電阻(RDYN)方面,采用PicoGuard XS架構的產品能夠比其他針對高速差分數據線路應用的傳統穿越型(flow-through)元件表現得更好。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/187671.htm

圖1 PicoGuard XS與傳統設計比較

這種架構也省卻了扼流圈的需要或PCB上的走線寬度修改。而且,這種架構與電路板堆疊無關,使系統設計人員能夠使用多個電路板供應商的產品,無須為各個供應商的產品進行定制阻抗匹配。這種架構能夠提供與所涉及PCB層數、介電厚度及其他布線方面變量無關的匹配阻抗。

新方法的技術原理
圖2顯示了標準元件的特征圖。電感元件表示的是源自邦定線和連接至保護元件的PCB走線的寄生電感。在這種標準元件模型中,電感元件為抵御高轉換率(slew rate)ESD沖擊的高阻抗,限制了保護元件快速吸收ESD能量的能力,使得更多的能量進入受保護的ASIC。

圖2 傳統ESD器件表征

圖3 PicoGuard XS器件表征


作為對比,PicoGuard XS架構的電感元件與連接至受保護ASIC的導電通道串聯,如圖3所示。這元件實際限制沖擊受保護器件的電流和電壓。首先,ESD沖擊會出現的連接器端的電感元件L1存在電抗,這電抗的方向與ESD電流方向相反,幫助限制峰值沖擊電壓。然后,ASIC端的電感元件L2的電抗迫使更有限的ESD沖擊電流通過ESD保護元件分流。與此同時,這兩個串聯元件的電壓降也發揮作用,降低受保護ASIC遭受的鉗位電壓。


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關鍵詞: ESD 保護 創新 變化

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