久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 業界動態 > 砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

作者: 時間:2016-01-07 來源:中國國防科技信息中心 收藏

  盡管存在硅的競爭,但無線通信的需求將繼續推動市場發展。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201601/285387.htm

  據美國市場研究和咨詢公司——信息網絡公司稱,強大的無線通信需求使市場2015年增長率超過25%。

  每個手機都包含基于異質結雙極晶體管(HBT)技術的功率放大器(PA)。一個2G手機包含一個PA,而一個3G手機通常含有多達五個PA。蘋果的4G智能手機6S包含六個PA:Avago的ACPM-7600和ACPM-8010,高通的QFE2320和QFE2340,和Skyworks的sky85303和sky85707。

  該公司的“砷化鎵市場”報告稱,雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產品替代,繼續失去市場份額,但在可預見的未來,仍將在RF技術領域占主導地位。

  PA的定價已經從每個2G手機0.30美元提高到每個3G手機1.25美元,全球長期演進(LTE)技術中的PA為3.25美元。



關鍵詞: 砷化鎵 集成電路

評論


相關推薦

技術專區

關閉