ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。

　　此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的FinFET 工藝完成設計定案。此外，SoC 設計人員還能利用基礎 IP模塊 (包括標準組件庫、嵌入式內存及標準 I/O) 開發最具競技爭力的 SoC，以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

　　ARM執行副總裁兼產品事業部總裁Pete Hutton表示：“高級移動應用 SoC 設計的首項指導原則就是能效，因為現今市場對設備性能的要求越來越高。臺積電的 16納米FFLL+ 工藝與 ARM Cortex? 處理器奠定了能效的新標準。我們與臺積電在10納米FinFET工藝技術上的合作，可確保在SoC層面上的效率，使我們的芯片合作伙伴在維持嚴苛的功耗標準的同時能夠有更大空間實現創新。”

　　臺積電研發副總裁侯永清表示：“通過與ARM 合作，使我們在工藝和IP 的生態系統上能快速進展，并加速客戶的產品開發周期。通力協作，我們正在定義能夠持續促進移動市場發展的處理器技術。最新的成果就是結合 ARM 處理器與臺積電10納米FinFET 技術，為各種尖端移動和消費電子產品的終端用戶帶來嶄新體驗。”

　　此款最新的測試芯片是 ARM 與臺積電長期致力于先進工藝技術的成果，基于 2014 年 10 月宣布的首次 10納米FinFET 技術合作。ARM與臺積電共同的IC設計客戶也獲益于早期獲得 ARM Artisan? 物理 IP 與ARM Cortex-A72 處理器的 16納米 FinFET+ 設計定案，此款高效能處理器已被當今多款市場主要和暢銷計算設備采用。