25M64kflash4352：40969(片外)+256（片內）RAM

每個端口引腳的輸出方式都可被配置為漏極開路或推挽方式，缺省狀態為漏極開路。(缺省Pn＝0xff)
在推挽方式，向端口數據寄存器中的相應位寫邏輯‘0’將使端口引腳被驅動到GND，寫邏輯‘1將使端口引腳被驅動到VDD。
在漏極開路方式，向端口數據寄存器中的相應位寫邏輯‘0’將使端口引腳被驅動到GND，寫邏輯‘1’將使端口引腳處于高阻狀態（注：必須禁止弱上拉,內部有弱上拉）。

通過設置輸出方式為“漏極開路”并向端口數據寄存器中的相應位寫‘1置為數字輸入。例如，設置P3MDOUT.7為邏輯‘0’并設置P3.7為邏輯‘1‘即可將P3.7配置為數字輸入

FLASH存儲器除了用于存儲程序代碼之外還可以用于非易失性數據存儲。這就允許在程序運行時計算和存儲類似標定系數這樣的數據。數據寫入用MOVX指令，讀出用MOVC指令。

MCU的FLASH存儲器中有一個附加的128字節的扇區，可用于非易失性數據存儲。然而它較小的扇區容量使其尤其適于作為通用的非易失性臨時存儲器。盡管FLASH存儲器可以每次寫一個字節，但必須首先擦除整個扇區。若要修改一個多字節數據集中的某一個字節，數據集必須被移動到臨時存儲區域。128字節的扇區規模使數據更新更加容易，可以不浪費程序存儲器或RAM空間。
該128字節的扇區在64K字節FLASH存儲器中是雙映射的；它的地址范圍是從0x1000到0x1007F。該128B扇區是雙映射的，其邏輯地址為0x00-0x7F(該128字節無法通過JTAG讀出或寫入，但擦寫整片CPU時，會將該區域的數據擦除），為了訪問該扇區，PSCTL寄存器中的SFLE位必須被設置為邏輯‘1’。該扇區不能用于存儲程序代碼。

指令是以系統時鐘周期為單位，而不像51單片機以機器周期（12×系統時鐘周期）為單位，速度大大提高

C8051F020低端口(P0. P1. P2和P3)既可以按位尋址也可以按字節尋址。高端口(P4. P5. P6和P7)只能按字節尋址。

對于附加128字節的flash扇區，每次擦除128個字節
對于其他flash扇區，每次擦除512個字節

ADC0的轉換速率最大是100ksps,其轉換速率由SAR clock決定，而采樣速率由用戶自己決定（可通過定時器設置_），但要小于轉換速率。

C8051FXX單片機的加密方式，是通過修改FLASH存儲器的0xfdfe和0xfdff這兩個字節來實現的。其中0xfdfe是寫保護字節。0xfdff是讀保護字節。每個字節的8個位分別對應8K的FLASH存儲空間，如果該存儲空間的對應位被清除，則該空間也被加密。

STARTUP.A51 這個文件有什么用，有必要添加到工程嗎？
如果不添加"startup.a51"文件，編譯器就會自動加入一段初始化內存以及堆棧等的代碼，這時的內存初始化部分你就無法去控制了，當然這在大部分情況下沒什么關系。但是如果你想你的程序在復位后，內存里面的信息依然還保存著（所說的“熱復位”），那么你就需要添加該啟動文件，并且去里面修改內存初始化部分，不要初始化你需要保留的部分內存。