2. NandFlash接口信號
*NandFlash接口信號較少；
*數據寬度只有8Bit，沒有地址總線。地址和數據總線復用，串行讀取；

信號名稱	信號描述
IO[7..0]	數據總線
CE#	片選信號(Chip Select)，低電平有效
WE#	寫有效(Write Enable)，低電平表示當前總線操作是寫操作
RE#	讀有效(Read Enable)，低電平表示當前總線操作是讀操作
CLE	命令鎖存(Command Latch Enable)信號，寫操作時給出此信號表示寫命令
ALE	地址/數據鎖存(Address Latch Enable)信號，寫操作時給出此信號表示寫地址或數據
WP#	寫保護(Write Protect)信號
R/B	忙(Read/Busy)信號

3. NandFlash地址結構
*NandFlash設備的存儲容量是以頁(Page)和塊(Block)為單位的。
*Page=528Byte(512Byte用于存放數據，其余16Byte用于存放其他信息，如塊好壞的標記、塊的邏輯地址、頁內數據的ECC校驗和等)。
*Block=32Page；
*容量為64MB的NandFlash存儲結構為：512Byte×32Page×4096Block；
*NandFlash以頁為單位進行讀和編程（寫）操作，一頁為512Byte；以塊為單位進行擦除操作，一塊為512Byte*32page=16KB；
*對于64MB的NAND設備，需要26根地址線，由于NAND設備數據總線寬度是8位的，因此必須經過4個時鐘周期才能把全部地址信息接收下來；

	I/O7	I/O6	I/O5	I/O4	I/O3	I/O2	I/O1	I/O0
第一個周期	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
第二個周期	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8
第三個周期	A23	A22	A21	A20	A19	A18	A17	A16
第四個周期							A25	A24

*可以這么說，第一個時鐘周期給出的是目標地址在一個page內的偏移量，而后三個時鐘周期給出的是頁地址。
*由于一個頁內有512Byte，需要9bit的地址尋址，而第一個時鐘周期只給出了低8bit，最高位A8由不同的讀命令(Read Mode2)來區分的。
4.NandFlash的命令