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STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

作者： 時間：2016-11-26 來源：網絡 收藏
STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash來模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區別主要是：一、EEPROM可以按位擦寫，而Flash只能按塊（頁）擦除；二、Flash的擦除壽命約1 萬次，較EEPROM低一個量級。ST網站有個Flash模擬EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源碼和文檔）。范例在保存修改的數據時，以寫入新數據來替代對原數據的修改，并使用兩個頁面輪流寫入，單頁寫滿后進行數據遷移，再一次性擦除舊頁面。這個策略可以有效降低Flash擦除次數。

　　不過，范例代碼只能保存固定大小的數據（16bits），雖然容易改成不同的固定大小，但實際用起來還是很不方便。我改寫了一下，新的特性包括：

本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/201611/321584.htm
  • 支持不同大小數據（字符數組、結構體等）的混合存儲；
  • 增加對數據的校驗和（Checksum）檢查。

　　附件提供了源碼。使用方法很簡單，比如要保存一個字符數組title和一個point結構體：

#include"eeprom.h"
#defineTITLE_SIZE80
#defineTITLE_KEY1
#definePOINT_KEY2
typedefstruct{
floatx;
floaty;
floatz;
}Point;
chartitle[TITLE_SIZE]="eepromteststring.";
Pointpoint;

　　執行必要的初始化操作后，就可以進行寫入和讀取：

uint16_tresult=0;
FLASH_Unlock();
EE_Init();
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY,title,TITLE_SIZE);
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY,&point,sizeof(point));
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(title,TITLE_KEY,TITLE_SIZE);
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point,POINT_KEY,sizeof(point));

　　實現混合存儲的辦法，是給每個變量附加8字節的控制信息。因此，在存儲小數據時會有較大的空間損耗，而在存儲較大的數據結構時空間利用率更高（相對于范例）。代碼是針對STM32F103VE的實現。不同芯片需要對應修改頭文件中EEPROM_START_ADDRESS的定義：

#defineEEPROM_START_ADDRESS((uint32_t)0x0807F000)

附件：STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip

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