本應用中用到ADuC7061的特性如下：

　　1.內置可編程增益放大器（PGA）的24位Σ-Δ型主ADC:PGA的增益在本應用的軟件中設置為32。

　　2.可編程激勵電流源，用來強制受控電流流經RTD：雙通道電流源可在0 μA至2 mA范圍內以200 μA步進配置，本例設置為200 μA。

　　3.ADuC7061中ADC的外部基準電壓源：對于本應用，我們采用比率式設置，將一個外部基準電阻（RREF）連接在外部VREF+ 和VREF- 引腳上。或者，也可以在ADuC7061中提供1.2 V內部基準電壓源。

　　4.ARM7TDMI內核：功能強大的16/32位ARM7內核集成了32 kB閃存和SRAM存儲器，用來運行用戶代碼，可配置并控制ADC,通過RTD處理ADC轉換，以及控制UART/USB接口的通信。

　　5.UART: UART用作與PC主機的通信接口。

　　6.兩個外部開關用來強制該器件進入閃存引導模式：使S1處于低電平，同時切換S2,ADuC7061將進入引導模式，而不是正常的用戶模式。在引導模式下，通過UART接口可以對內部閃存重新編程。

　　本電路使用的RTD為100 Ω鉑RTD,型號為Enercorp PCS 1.1503.1.它采用0805表貼封裝，溫度變化率為0.385 Ω/°C。

　　注意，基準電阻RREF應為精密5.62 kΩ （±0.1%）電阻。

　　ADuC7061的USB接口通過FT232R UART轉USB收發器實現，它將USB信號直接轉換為UART。除下圖所示的去耦外，USB電纜本身還應采用鐵氧體磁珠來增強EMI/RFI保護功能。本電路所用鐵氧體磁珠為Taiyo Yuden #BK2125HS102-T,它在100 MHz時的阻抗為1000 Ω。

　　本電路必須構建在具有較大面積接地層的多層電路板上。為實現最佳性能，必須采用適當的布局、接地和去耦技術。