正向電壓測試
要理解新的結構單元材料，如石墨烯、碳納米管[1]、硅納米線[2]或者量子點，在未來的電子器件中是如何發揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測量電阻、電阻率、遷移率和電導率的計測手段。這常常需要對極低的電流[3]和電壓進行測量。對于那些力圖開發這些下一代材料并使之商業化的工程師而言，在納米尺度上進行精確的、可重復的測量的能力顯得極為重要。

光學測試
光學測量中也需要使用正向電流偏置[4]，因為電流與HBLED的發光量密切相關。可以用光電二極管或者積分球來捕捉發射的光子，從而可以測量光功率?？梢詫l光變換為一個電流，并用電流計或者一個信號源－測量單元的單個通道來測量該電流。

反向擊穿電壓測試
對HBLED施加的反向偏置電流可以實現反向擊穿電壓[5]（VR）的測試。該測試電流的設置應當使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結果一般為數十伏特。