來自IBM和佐治亞理工大學（Georgia Institute of Technology）的研究人員近日宣布，他們研發的基于SiGe工藝的晶體管工作頻率達到500GHz，比現有的手機中所用的晶體管的工作頻率快250倍。到目前為止，只有采用昂貴的III-V族混合半導體材料的IC才能達到這種性能。

SiGe異質結雙極晶體管工作在 4.5K溫度下，該低溫是通過液氦冷卻獲得。在室溫下，該晶體管的工作頻率為350GHz。測試實驗是通過佐治亞理工大學電子設計中心的一個特制的高頻測試系統完成的。

位于佐治亞理工大學電子設計中心的低溫測試站在封閉裝置內的黑色廣場就是SiGe芯片

雖然該破記錄的速度是在極低溫的環境下獲得的，但結果仍然表明SiGe器件的性能上限可能超過人們的最初期望。該研究小組的下一步目標是搞清楚這種SiGe晶體管的背后物理原理，為什么在極低溫度下會出現如此不尋常的性能表現。如想了解更多信息，請與佐治亞理工大學的John Toon聯系，電話：001-404-894-6986，Email：@gatech.edu">jtoon@gatech.edu；或者致電IBM的Glen Brandow，電話：001-914-766-4615，Email：brandow@us.ibm。