12月4日，英特爾在一項名為“自旋電子學”的技術領域取得了進展，未來芯片尺寸可縮小5倍，能耗最多可降低30倍。

　　英特爾和加州大學伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學”方面的研究進展，這項新技術可以將未來的芯片尺寸縮小到目前的五分之一，能耗將降低10到30倍。

　　一直以來，芯片都依賴著CMOS技術，但隨著元器件尺寸不斷接近原子級別大小，芯片的發展也遇到瓶頸。

　　英特爾的這項研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件，利用了多鐵性材料的自旋性質，使用氧、鉍和鐵原子的晶格，提供有利的電磁屬性以便外力可存儲并讀取信息。這種元件所需功率遠小于CMOS晶體管。

　　研究人員表示，由于這種元件不需要電就能保留信息，所以它們可以在設備閑置時提供更加節能的睡眠模式。

　　英特爾高級院士指出，“我們正在研究超越CMOS的信息時代的革命性和非進化性方法。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎。它將量子材料創新與計算結合在一起。我們對我們取得的進展感到非常興奮，并期待著未來能進一步降低開關電壓，發揮它更大的潛力。”

　　英特爾元件研究機構項目負責人SasikanthManipatruni在一份聲明中說，“我們在努力在產業和晶體管研究領域引發新一輪創新。”《自然》雜志星期一發表了這項研究論文，Manipatruni是第一作者。

　　雖然實驗原型顯示出很不錯結果，但該技術尚處于起步階段。根據研究人員的說法，該技術需要進行更多的研究，商用化還有很長的路要走，至少還需要十年。