電池和電源管理、Wi-Fi^?和藍牙^?低能耗(BLE)以及工業邊緣計算解決方案的領先供應商DIALOG SEMICONDUCTOR（XETRA代碼：DLG）與全球領先的特殊工藝半導體代工廠格芯^?（GLOBALFOUNDRIES^?，GF^?）近日宣布，雙方已達成協議，Dialog將其導電橋接RAM (CBRAM)技術授權給格芯^?（GLOBALFOUNDRIES^?）。這種阻性RAM(ReRAM)技術由Adesto Technologies公司開創，該公司最近被Dialog Semiconductor收購。格芯^?（GLOBALFOUNDRIES^?）將首先在其22FDX^?平臺上提供Dialog的CBRAM技術，作為嵌入式非易失性存儲器(NVM)選項，并計劃擴展到其他平臺。

Dialog經過生產驗證的專有CBRAM技術是一種低功耗NVM解決方案，旨在支持物聯網、5G連接、人工智能(AI)等一系列應用。CBRAM具備低功耗、高讀/寫速度、低制造成本以及對惡劣環境的耐受性，因此特別適合消費電子、醫療以及部分工業和汽車應用。此外，CBRAM技術還能為這些市場的產品所需的先進技術節點提供高性價比的嵌入式NVM。

Dialog Semiconductor企業發展高級副總裁兼工業混合信號業務部總經理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto標志性存儲器技術之一，也是Dialog產品組合的顛覆性新產品。與格芯建立新的授權合作關系，體現了Dialog和Adesto攜手開創新事業的迅捷速度。

展望未來，我非常看好我們與格芯的緊密合作關系。這項協議不僅能夠為行業提供先進的技術，而且還使Dialog有機會在下一代片上系統(SoC)采用領先的CBRAM技術。”

格芯高級副總裁兼汽車、工業和多市場總經理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作關系表明，格芯致力于加大投資力度，進一步為客戶提供差異化的增值產品。Dialog的ReRAM技術為我們領先的eNVM解決方案系列提供了有力補充。該存儲器解決方案與我們的FDX?平臺相結合，能夠幫助我們的客戶推陳出新，提供新一代安全物聯網和邊緣人工智能應用。”

Dialog的CBRAM技術克服了ReRAM經常面臨的集成與可靠性挑戰，提供了可靠的低成本嵌入式存儲器，同時支持ReRAM在低電壓下工作。這意味著需要比標準嵌入式閃存產品寫入和讀取訪問耗能更低。

CBRAM將于2022年作為格芯22FDX平臺的嵌入式NVM選項投入生產，供格芯客戶使用。客戶可以借助IP定制服務，對CBRAM單元進行修改，以優化其SoC設計，增強安全性，甚至調整單元以滿足新應用的需求。此外，作為“后端制程”技術，CBRAM更容易集成到其他技術節點。