領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，近日推出最新的混合信號控制器，專用于無橋圖騰柱功率因數校正（TP PFC）拓撲結構。NCP1681的目標應用是超高密度離線電源。該新的控制器以適用于達350 W設計的 NCP1680的成功為基礎，將功率能力擴展到千瓦范圍。

在過去，TP PFC設計需要使用MCU，這增加了設計的復雜度且需要編碼。現在有了NCP1681，只需添加一些外部器件，不需要編碼就可實現功能齊全的TP PFC方案，從而節省時間、成本和占位。

安森美計算和云分部高級副總裁兼總經理Robert Tong談到該新產品發布時說：“新的NCP1681將無代碼TP PFC設計的優勢擴展到更高功率。這使我們的客戶能繼續提高他們的設計能效，同時減少設計時間和成本，從而快速向市場提供方案。”

NCP1681可被配置為在固定頻率連續導通模式(CCM)或多模式下工作，控制器在CCM和臨界導通模式(CrM)之間自然轉換，以在各種功率水平下實現最佳性能。

該新的NCP1681高功率TP PFC控制器結合成熟的控制算法和新穎的功能，提供一個高性能和高性價比的TP PFC方案，也可滿足具挑戰的能效標準，諸如 “80Plus ”或 “CoC Tier 2”等要求在廣泛的負載范圍內提供高能效的標準。

該新的NCP1681適用于350 W至數千瓦范圍的更高功率的電源，工作在通用電源輸入(90 - 265 Vac)，廣泛適用于包括服務器、高性能計算、電信、工業和OLED電視等應用。在高壓輸入下，NCP1681 TP PFC方案的能效將達近99%。

NCP1681將與獲獎的低功率 (<300W) NCP1680一起在APEC 2022上展示，地點在美國德克薩斯州休斯頓的George R. Brown會展中心。觀眾可在3月21日至3月23日安森美的展臺(1124)看到這些演示。

除了TP PFC控制器外，安森美還提供各種SiC MOSFET和隔離門極驅動器，可用于圖騰柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低導通電阻（RDS(on))和緊湊的芯片尺寸，確保低電容和門極電荷（Qg），在縮小的系統尺寸中提供極高能效，從而實現高功率密度。當NCP1681與NCP51561電隔離門極驅動器一起使用時，可實現穩定可靠的設計而不會犧牲開關性能。