IT之家 7 月 28 日消息，據浙江大學杭州國際科創中心發布，近日浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發項目的資助下，成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產業發展或將迎來發展新契機。

據介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導體器件的發展至關重要。目前，國內碳化硅單晶的直徑已經普遍能達到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之間，導致一個碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數量相當有限。

科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度主要挑戰在于其生長時厚度的增加及源粉的消耗對生長室內部熱場的改變。針對挑戰，浙江大學通過設計碳化硅單晶生長設備的新型熱場、發展碳化硅源粉的新技術、開發碳化硅單晶生長的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長速率，成功生長出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質量達到了業界水平。