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鴻海第四代半導體研究取得大突破

作者: 時間:2025-04-18 來源:中時電子報 收藏

持續布局先進技術,卡位電動車、衛星通訊等前瞻應用商機,15日宣布旗下研究院半導體所與陽明交通大學、德州大學奧斯汀分校進行跨國合作,投入的研究,近日已在衛星通訊及高功率元件領域取得顯著突破; 研究成果已發表在國際頂級期刊《Applied Surface Science Advances》及《ACS Applied Electronic Materials》,可應用于電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航天科技。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/202504/469537.htm

指的是超寬能隙(UWBG)半導體材料,如鉆石、AlN等,相較于前三代半導體,它們具有更寬的能隙使其在高功率、高頻、高溫環境下表現更優異。

研究團隊從材料特性與制程研發角度出發,發現增加氧氣流量可適時降低氧空位比例,改善結晶品質并減少鋁擴散,提升熱穩定性與組件特性。

研究院指出,這項成果將為通訊及高功率等領域帶來深遠影響; 第四代半導體可應用于電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航天科技。

鴻海研究院進一步說明,本項研究在第四代半導體領域取得顯著突破,為未來通訊技術和高功率領域應用奠定了基礎; 研究團隊未來計劃進一步優化改善結構設計與制程技術,為全球高功率電子產業注入新動能。

國立陽明交通大學則表示,此一研究不僅提升組件的電流驅動能力和耐壓性,更透過精確的成長參數與結構設計,為未來產業應用開辟了新道路。

針對鴻海半導體布局,鴻海董事長劉揚偉先前表示,鴻海在第三代半導體,從碳化硅(SiC)到硅等,都一直在研發與發展中,會持續布局第三代半導體,包括氮化鎵(GaN)、碳化硅及硅基氮化鎵(GaN on Si)等。 而鴻海不僅有IC設計服務,還有封裝,目前是先鎖定車用芯片,之后會規劃拓展至衛星產業相關的芯片等方向。



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