印度科學(xué)理工學(xué)院（IISc）的30位科學(xué)家組成團隊，向政府提交一份開發(fā)「埃米級」（Angstrom-scale）芯片的提案，提到利用二維材料（2D Materials）的新半導(dǎo)體材料開發(fā)技術(shù)，可使芯片尺寸小至目前全球生產(chǎn)的最小芯片的十分之一，并發(fā)展印度半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)地位。

印度科學(xué)理工學(xué)院的科學(xué)團隊于2022年4月向首席科學(xué)顧問（PSA）提交一份詳細的項目報告，經(jīng)過修訂后，新報告于2024年10月重新提交，隨后與電子與信息科技部（MeitY）分享。

該報告建議使用石墨烯和過渡金屬二硫族化物（TMD）等超薄材料開發(fā) 2D 半導(dǎo)體。 這些材料可讓芯片制造達到埃米級，遠小于目前的納米級技術(shù)。

一位印度官員透露，MeitY對該項目持積極態(tài)度。 MeitY首席科學(xué)顧問和秘書已就此舉行會議，并探索可部署此類技術(shù)的電子應(yīng)用。

目前印度在半導(dǎo)體制造仍極度依賴外國廠商，該國最大半導(dǎo)體項目是由塔塔集團（Tata Electronics）與力積電合作建立，投資金額涉及9,100億盧比。 此項目已獲得印度半導(dǎo)體使命（India Semiconductor Mission）的批準，有望獲得政府50%的資本支持。

相比之下，印度科學(xué)理工學(xué)院的提案要求在五年內(nèi)投資500億盧比，以建立下一代半導(dǎo)體的本土技術(shù)。 該項目也包含在初始資金階段之后的自我持續(xù)發(fā)展路線圖。