EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。

EPC7030MSH

隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統(tǒng)而設計。

文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63 MeV，LET = 84.6 MeV 時為 250 V。據(jù)該公司稱，它提供當今市場上所有 300 V 抗輻射 GaN FET 中最低的 RDS（on） 和柵極電荷 （QG）。

EPC Space 首席執(zhí)行官 Bel Lazar 在一份新聞稿中表示：“EPC7030MSH 300 V RH GaN FET 提供高電流和抗輻射可靠性，滿足更高電壓太空電源架構的嚴格要求，并為我們的客戶簡化熱設計。

新型 EPC Space 器件采用密封表面貼裝 FSMD-M 格式封裝，專為傳導冷卻和增加爬電距離而設計。它還與現(xiàn)有的 GaN 柵極驅動器兼容，簡化了空間合格設計的系統(tǒng)集成。

目標應用包括衛(wèi)星電源系統(tǒng)中的前端 DC-DC 轉換器、高壓配電總線以及需要高效、緊湊開關的電力推進系統(tǒng)。

用于太空的 GaN

正如我們所報道的，氮化鎵 （GaN） 是一種寬帶隙半導體，在幾個關鍵方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅——它切換速度更快、運行效率更高、功率損耗更低。在空間應用中，優(yōu)勢尤為重要，因為在太空應用中，系統(tǒng)必須具有極高的功率密度，能夠承受惡劣的熱條件，并能夠承受輻射暴露。這就是 GaN 擅長的地方。這種材料可實現(xiàn)更輕、更高效的設計，同時減輕熱管理負擔，這是衛(wèi)星電源系統(tǒng)、航空航天推進電子設備和配電網絡的主要優(yōu)勢。簡而言之，GaN 幫助工程師解決太空中一些最棘手的挑戰(zhàn)：減輕重量、最大限度地提高效率和提高可靠性。