無法接觸頂部反饋電阻時的環路響應測量方案
摘要
本文將詳細介紹在沒有明顯注入點(即無法接觸或缺少頂部反饋電阻)的情況下,如何測量電源的環路響應。這種情況存在兩種情形:電源模塊內部的頂部反饋電阻無法接觸,或者電源模塊使用輸出檢測引腳,而沒有頂部反饋電阻。
引言
為使電源穩定,需要一定的增益和相位裕量。通常,電源若具有至少45°的相位裕量和至少10 dB的增益裕量,便可視為穩定。為了測量這些值,通常要在 VOUT節點和頂部反饋電阻之間插入一個小電阻,然后在這個增加的電阻兩端施加一個擾動信號,并在期望的頻率范圍內測量環路響應。如果用戶能夠接觸到頂部反饋電阻,這種常規方法會很簡便,因此很常用。
但是,如果用戶無法接觸模塑模塊內的頂部反饋電阻,該如何測量環路響應?如果器件不需要頂部反饋電阻,而是使用輸出電壓檢測引腳,又該如何測量環路響應?對于這兩個問題,通過比較常規測量方法和新型測量方法的環路響應波特圖,可以給出解答。
頂部反饋電阻位于何處?
如圖1所示,測量環路響應的常規方法是在 VOUT節點和頂部反饋電阻之間插入一個小值電阻。只有用戶可以接觸到頂部反饋電阻時,才能使用這種方法。

許多電源模塊的頂部反饋電阻位于電源封裝內部,無法接觸。若將頂部反饋電阻硬連線到VOUT節點,則輸出電壓絕不會超過反饋電阻分壓器設定的電壓。如果頂部反饋電阻不是硬連線,在降壓型穩壓器中,一旦該電阻連接不當或發生故障,則VOUT節點電壓可能會升高到與輸入電壓一樣高。ADI公司的許多μModule?器件都將頂部反饋電阻模塑在模塊內部,以提供額外的保護。但這樣一來,便無法用常規方法測量環路響應。圖2顯示了LTM8074及其無法接觸的頂部反饋電阻。
LTM8074

另一種特殊情況是模塊使用輸出電壓檢測引腳(VOSNS)來調節VOUT電壓。如圖3中的簡化框圖所示,由于該設置使用基準電流源,而不是通常的基準電壓源,因此沒有頂部反饋電阻。LTM4702使用該基準電流電路來調節輸出電壓。
LTM4702

圖3. 顯示VOSNS電路的簡化框圖。
負載瞬態響應還是波特圖?
如果沒有辦法測量電源的環路響應,就必須完全依靠系統的瞬態響應來確定穩定性。瞬態響應測試用于檢查在 VOUT節點施加負載階躍時VOUT的電壓響應。瞬態響應示例如圖4所示。根據波形,通過測量從施加負載階躍到輸出電壓開始恢復的時間,可以估算帶寬(?BW)。控制環路的帶寬等于該恢復時間(tr)與∏乘積的倒數。在此示例中,恢復時間約為4 μs,帶寬為80 kHz。

此外,通過觀察波形的形狀也可以評估系統的穩定性。如果在波形中看到振鈴(綠色響應曲線),則表示系統具有欠阻尼響應。這意味著系統可能不穩定,相位裕量較低。但相位裕量有多低呢?
如果波形的恢復時間相當長,則可以認為系統具有過阻尼響應(藍色響應曲線)。系統輸出電壓的恢復時間可能比預期時間要長得多。由于電壓下降持續時間超過預期,下游電路可能會受到影響。

雖然通過瞬態響應可以了解有關系統環路響應的一些信息,但確切的相位裕量和增益裕量只能通過測量來確定。
測量環路穩定性的新方法
對于使用輸出電壓檢測引腳的情形,環路響應測量與常規測量方法類似。只需在 VOUT節點和 VOSNS引腳之間放置一個小值電阻即可。如圖3所示,將擾動信號施加于該電阻,然后測量環路響應。
對于頂部反饋電阻位于模塊內部而無法接觸的情形,采用新型環路測量技術時需要格外小心。如圖5所示,必須安裝一個并聯電阻分壓網絡,并將擾動信號置于底部反饋電阻和地之間插入的電阻上。務必使并聯電阻分壓網絡盡可能靠近反饋電阻網絡,以盡量減少誤差。
第1步:
在R2和地之間插入20 Ω RPERT電阻。將擾動信號施加于 RPERT。
第2步:
選擇R4,其值應在500 Ω至1 kΩ范圍內。見注釋1。
第3步:
計算并聯電阻分壓網絡比率。n = R2/R4。
第4步:
使用第3步中的比率n計算R3和CFF2。
第5步:
重新構建包括前饋電容和電容CM的并聯電阻分壓網絡,以消除擾動信號帶來的附加電容的影響。見注釋2。
公式:
1. n = R2/R4
2. R3 = R1/n
3. CFF2 = n × CFF1
4. CM = n × CPERT

注釋1:
選擇R4,使得R2比R4大40到100倍。這樣,由R2和R3組成的電阻網絡將在反饋環路的測量中起主導作用。
注釋2:
如果無法可靠地測量擾動信號的寄生電容,可以通過迭代試驗的方式,憑借經驗確定CM電容。
新型測量方法產生的環路響應與常規方法相同,如圖6所示。

結語
借助這種新型測量方法,用戶現在無需接觸頂部反饋電阻即可確定環路響應。用戶不再需要使用帶寬有限且誤差較大的低效方法,也不必僅依賴負載瞬態響應來評估環路穩定性。
參考文獻
Henry Zhang,“應用筆記149:開關模式電源的模型和環路補償設計”,凌力爾特,2015年1月。
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作者簡介
Adam Huff是ADI公司電源模塊部的高級設計工程師。他自2005年加入ADI公司以來,在電源模塊部擔任過多個職務。他擁有普渡大學電氣工程技術學士學位。
George (Zhijun) Qian是ADI公司電源模塊高級設計經理,負責所有LTM80xx產品和部分LTM46xx/LTM47xx產品。他擁有浙江大學電力電子學士學位和碩士學位,以及美國中佛羅里達大學電力電子博士學位。他于2010年初加入ADI公司。









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