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Vishay攜AI和電動汽車方案參展PCIM Asia 2025

—— 通過一系列參考設(shè)計和產(chǎn)品演示,Vishay將重點展示在人工智能服務(wù)器、智能座艙、車載計算平臺等領(lǐng)域廣泛的半導(dǎo)體與無源技術(shù)產(chǎn)品組合
作者: 時間:2025-09-24 來源:EEPW 收藏

日前,威世科技 Intertechnology, Inc.宣布,公司在 Asia 2025上展示其最新的半導(dǎo)體和無源電子技術(shù)。歡迎各位觀眾光臨C48展區(qū)第N5展臺,深入了解威世科技為滿足人工智能基礎(chǔ)設(shè)施和電動汽車領(lǐng)域快速變化的需求而量身定制的差異化產(chǎn)品及參考設(shè)計。

Asia展會上,重點展示公司面向人工智能應(yīng)用的服務(wù)器電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電力輸送裝置、BBU、主板和光模塊解決方案,以及面向下一代電動汽車的智能座艙、車載計算和ADAS平臺解決方案。為滿足這些高增長領(lǐng)域的需求,公司正致力于擴充產(chǎn)能,并優(yōu)化全球制造布局,以拓展公司產(chǎn)品組合。

Vishay人工智能解決方案組件包括:采用PowerPAKò 8x8、10x12封裝、SO-8DC雙面散熱、1212-F和SO-8S封裝的超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET;輸入電壓范圍4.5 V至60 V的microBUCKò降壓穩(wěn)壓器; 采用具有更強散熱能力的PowerPAK MLP55-31L封裝的50 A VRPowerò集成功率級;采用TO-220、TO-247、D2PAK、SMA及SlimSMA封裝的碳化硅(SiC)二極管;采用DFN和SlimSMA封裝的TVS;具有0.38 V超低正向壓降的表面貼裝TMBSò整流器;具有集成電場屏蔽層的 IHLEò系列電感,可最大限度降低EMI,處理高瞬態(tài)電流尖峰而不會飽和,以及低直流內(nèi)阻(DCR)和高壓功率電感;具有超低等效串聯(lián)電阻(ESR)的vPolyTan?聚合物鉭電容T55;工作頻率高達70 GHz的薄膜片式電阻;具備高功率密度、低溫度系數(shù)(TCR)、低電感和低熱電動勢特性的Power Metal Strip?電阻;以及能量吸收水平高達340焦耳的PTC熱敏電阻。

Vishay汽車解決方案涵蓋參考設(shè)計、演示及組件解決方案。面向汽車應(yīng)用的參考設(shè)計包括:適用于400 V和800 V的主動放電電路;用于車載充電器的22 kW雙向800 V至800 V功率轉(zhuǎn)換器;基于WSBE Power Metal Strip?電阻打造并具有低溫度系數(shù)(TCR)、低電感及低熱電動勢特性的智能電池分流器,配備用于400 V / 800 V系統(tǒng)的CAN FD接口; 4kW雙向800 V至48 V輔助電源轉(zhuǎn)換器;緊湊型800 V配電解決方案;以及48 V電子熔絲。

另外,Vishay還帶來面向智能座艙、車載計算、ADAS及其他汽車應(yīng)用的汽車級組件,包括:全集成式接近、環(huán)境光、壓力、手勢和透射式光學(xué)傳感器;以太網(wǎng)靜電保護二極管;采用eSMP?封裝的表面貼裝二極管;采用PowerPAK 8x8LR、SO-10LR、1212和SO-8L封裝的超低導(dǎo)通電阻MOSFET;IHLP?系列薄形大電流功率電感,可承受高瞬態(tài)電流尖峰而不會飽和;具有超低ESR的vPolyTan?聚合物鉭電容T51;可耐受高達+125 °C的DC-Link薄膜電容器;以及可承受85 °C / 85 % THB測試1000小時的車規(guī)級EMI安規(guī)電容器。

Asia 2025于9月24-26日在中國上海舉辦。


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