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三星與 SK 海力士預調價格:DRAM/NAND 提價高達 30%,長期供應協議加速簽訂

作者:EEPW 時間:2025-10-24 來源: 收藏

伴隨人工智能基礎設施投入的快速擴張,存儲器市場迎來結構性轉變。據韓國主流財經媒體最新消息,存儲器行業兩大巨頭 —— Samsung Electronics(三星)與 SK hynix(SK 海力士)已通知客戶:2025 年第四季度合同或現貨價格將調高至約 30% 的幅度,涉及 DRAM 與 NAND Flash 產品。

消息指出,隨著云服務器、AI 模型訓練及推理需求的疊加,DRAM 與 NAND 的供需格局正在發生改變。多家國際電子與服務器廠商據稱在近日積極與三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中長期供貨協議,以鎖定未來資源、避免價格波動風險。

業內分析認為,本輪提價的邏輯主要包括三方面:其一,AI 服務器的大規模建設提升了對 HBM(高帶寬存儲器)及大容量 DRAM 的需求,使資源向高端內存傾斜;其二,傳統 DRAM 與 NAND 產能的擴張受到制約,庫存緊俏已成常態;其三,客戶為了應對價格上行趨勢,提前進入采購與合同鎖定。

在 DRAM 市場方面,報道稱三星與 SK 海力士一線將針對普通 DDR4/DDR5 服務器等級 DRAM 上調幅度最高可達 30%。NAND Flash 方面,雖上調幅度較小,但也被預期有兩位數增長。部分客戶已經在近期的合同談判中要求提前鎖定“優先配額”,并與廠商達成多期供貨條款。

對于下游客戶而言,這意味著成本端可能出現上升壓力。整機制造商、服務器運營商與模塊廠商將更早介入庫存部署,以避免后續“價格跳躍”造成成本失控。與此同時,存儲器廠商則從產能競爭轉向定價策略與客戶鎖定關系的主動布局。

從中長期視角看,提價趨勢可能延伸至未來 12 至 24 個月。由于 DRAM 向高帶寬、高容量方向的能力轉移加劇,傳統規格的存儲器供應未必能及時跟進。在此背景下,率先簽訂長期協議并獲得優配資源的客戶,將在未來的供給緊張期中占據優勢。

在市場反響方面,提價消息已引起部分模組廠、分銷渠道及采購方的注意。據悉,部分客戶在收到廠商“即將漲價”的預告后,已啟動補庫行動,市場交易氣氛因此被提振。

總的來看,三星與 SK 海力士此輪價格動作既是對人工智能時代存儲需求爆發的回應,也是一種由“產能競爭”向“資源控制”轉型的策略信號。整個存儲器產業鏈的玩家需警覺:庫存布局與合同安排的節奏可能將成為未來供應鏈競爭的新維度。


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