CES獲獎(jiǎng):Artenix? AI:面向 AI 芯片制造的嵌入式電源新范式
CES 2026 嵌入式技術(shù)(Embedded Technologies)類創(chuàng)新榮譽(yù)產(chǎn)品
在 CES 2026 上,來自 LiBEST Inc. 的 Artenix? AI 獲評 Embedded Technologies 類別 2026 年度創(chuàng)新榮譽(yù)(Honoree)。
與傳統(tǒng)消費(fèi)級或工業(yè)級電池不同,Artenix AI 的設(shè)計(jì)起點(diǎn)并非“供電時(shí)長”,而是一個(gè)更底層、也更嚴(yán)苛的問題:如何在先進(jìn) AI 半導(dǎo)體制造流程中,為晶圓級傳感器穩(wěn)定供電。
背景:AI 芯片制造對“電源”的新要求
隨著 AI 芯片在制程節(jié)點(diǎn)上持續(xù)縮小、在架構(gòu)上向 高復(fù)雜度與三維(3D)堆疊 演進(jìn),晶圓制造過程本身正在發(fā)生變化:
更多 晶圓級(wafer-level)傳感器 被直接集成到制造流程中
在線量測(inline metrology)與過程監(jiān)控逐漸走向?qū)崟r(shí)化、智能化
MEMS 傳感器與“智能晶圓系統(tǒng)”成為提升良率與設(shè)備利用率的關(guān)鍵
然而,在實(shí)際工藝環(huán)境中,傳統(tǒng)電池幾乎無法工作。原因并非容量不足,而是 物理與材料層面的根本限制。
為什么傳統(tǒng)電池在晶圓制造中“行不通”?
在先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備中,供電系統(tǒng)必須同時(shí)承受以下極端條件:
高真空環(huán)境:約 1 mTorr
快速熱循環(huán):頻繁的高低溫切換
強(qiáng)電磁干擾(EMI)
對幾何精度極度敏感:任何微小形變都可能影響光刻或刻蝕精度
常規(guī)電池在這些條件下會出現(xiàn):
電解液揮發(fā)或泄漏
熱膨脹導(dǎo)致厚度或翹曲變化
在真空或高溫下失效
對工藝精度產(chǎn)生不可接受的干擾
這使得“在晶圓級嵌入電源”長期被視為不可行。
Artenix? AI 的核心突破:為制程環(huán)境而生的電池
1. 面向極端工藝環(huán)境的穩(wěn)定運(yùn)行能力
Artenix AI 被明確設(shè)計(jì)為 晶圓制造環(huán)境專用電源,可在以下條件下可靠工作:
高真空(~1 mTorr)
快速熱循環(huán)工況
高電磁干擾環(huán)境
其關(guān)鍵在于 LiBEST 自主研發(fā)的 meta-phase 電解質(zhì)體系,該材料體系在物理與化學(xué)層面同時(shí)針對真空、溫度與穩(wěn)定性進(jìn)行了優(yōu)化。
2. 幾乎為零的熱膨脹特性
在光刻與刻蝕等關(guān)鍵工序中,表面形變是極其敏感的參數(shù)。
Artenix AI 的一項(xiàng)核心指標(biāo)是:
近乎零的熱膨脹系數(shù)
這意味著電池在溫度變化過程中不會引入可測量的尺寸變化,從而 不會影響晶圓的平整度與對準(zhǔn)精度。
超薄形態(tài):不“存在”的存在感
在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,Artenix AI 采用 超薄電池形態(tài):
厚度 < 0.024 英寸(約 0.61 mm)
極高表面平整度
這一特性使其能夠 無縫集成 到:
在線量測模塊
制程監(jiān)控系統(tǒng)
晶圓級 MEMS 傳感器陣列
而不對現(xiàn)有光刻、刻蝕或沉積流程造成任何幾何或機(jī)械干擾。
性能與可靠性:為“長期在線”而設(shè)計(jì)
除環(huán)境適應(yīng)性外,Artenix AI 在工程指標(biāo)上同樣面向長期運(yùn)行場景:
長循環(huán)壽命:滿足制程監(jiān)控系統(tǒng)的持續(xù)使用需求
真空環(huán)境下零泄漏:避免對腔體與晶圓造成污染
低功耗設(shè)計(jì):與 MEMS 與智能傳感器高度匹配
這些特性使其不再是“臨時(shí)供電組件”,而是 可被視為制程基礎(chǔ)設(shè)施的一部分。
應(yīng)用價(jià)值:從“供電問題”到“制造可視化能力”
Artenix AI 的真正價(jià)值,并不僅在于解決了“怎么供電”,而在于它 解鎖了一整類此前難以實(shí)現(xiàn)的制造能力:
更高的制程可視性
晶圓級傳感器可持續(xù)在線工作
更高芯片良率
實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)支持更精細(xì)的工藝控制
更高設(shè)備稼動率(uptime)
預(yù)測性維護(hù)與異常快速定位
更小的能耗與空間占用
不增加系統(tǒng)復(fù)雜度
在 AI 芯片制造中,這些能力往往直接轉(zhuǎn)化為 成本、良率與產(chǎn)能優(yōu)勢。
行業(yè)意義:電池首次成為“晶圓制造級器件”
從技術(shù)定位上看,Artenix? AI 并非傳統(tǒng)意義上的電池產(chǎn)品,而更接近一種 嵌入式制造級功能器件:
它不服務(wù)于終端用戶
不追求能量密度的極限
而是為 先進(jìn)制程的可控性與可擴(kuò)展性 提供基礎(chǔ)支撐
在 AI 半導(dǎo)體走向 更高集成度、更復(fù)雜結(jié)構(gòu) 的過程中,這類“看不見、卻不可或缺”的底層技術(shù),正在成為制造能力升級的關(guān)鍵。
總結(jié):被忽視的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新
Artenix? AI 之所以能夠在 CES 2026 的 Embedded Technologies 類別中脫穎而出,原因在于它切中了一個(gè)長期被忽視、卻越來越關(guān)鍵的問題:
當(dāng)芯片制造越來越智能,誰來為這些“嵌入在制程中的智能”供電?
LiBEST 給出的答案,不是改良現(xiàn)有電池,而是 重新定義電池應(yīng)具備的物理屬性與工程角色。
在這一意義上,Artenix AI 更像是下一代 AI 芯片制造體系中的一塊“基礎(chǔ)拼圖”,其價(jià)值,可能只有在真正的大規(guī)模應(yīng)用中才會完全顯現(xiàn)。












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