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電源和CPU散熱器將是下一個價格上漲的目標

作者: 時間:2026-01-13 來源:半導體產業縱橫 收藏

近幾個月來,PC 組件價格已經承壓,由于人工智能的蓬勃發展,內存和固態硬盤的價格明顯上漲。人工智能數據中心的高需求以及其他因素推高了內存和存儲設備的成本?,F在看來,另外兩種關鍵的 PC 組件也將步其后塵。

廣州新宏正電電子科技有限公司發布公告稱,原材料成本上漲給公司運營成本帶來巨大壓力。該公司解釋說,受全球市場行情影響,銅、銀、錫等關鍵上游原材料價格近幾個月來持續上漲。這些原材料是生產個人電腦電源和散熱解決方案的必需品,其價格的持續上漲顯著推高了生產成本。

該公司還表示,已收到上游供應商的緊急通知,確認工廠已于 1 月 6 日起停止接受之前價格的新訂單。此日期之后的所有訂單均按更新后的價格計算,這意味著更高的成本幾乎立即轉嫁到供應鏈下游。

因此,電源價格預計將上漲 6% 至 10%。散熱器價格預計將上漲 6% 至 8%,這將直接影響 CPU 散熱器的價格。該通知還提到,自 2026 年 2 月 1 日起,所有促銷定價政策將取消。這意味著折扣和特價將不再適用。除了恢復標準價格外,預計超過 90% 的產品還將面臨單價上漲。

服務器電源及配套散熱系統因 AI 算力爆發帶來的技術迭代與需求激增,正面臨更為嚴峻的成本與技術雙重壓力,其發展趨勢也同步重塑著產業格局。在生成式 AI 與大模型的驅動下,全球算力需求呈指數級攀升,AI 服務器單機功耗已從傳統的 1780W 激增至 19700W,機柜功率更是從 20-30kW 躍升至 100kW 以上,預計未來還將向數百千瓦級演進,這一變化直接推動服務器電源進入高壓、集中、寬禁帶三大核心發展階段。

高壓直流(HVDC)主流化成為首要趨勢。傳統 UPS 供電系統效率僅為 90%-95%,已無法滿足高算力數據中心的能效需求,而 HVDC 系統效率可躍升至 95%-98%,且模塊化設計支持靈活擴容,輸出電壓正從當前的 240V/336V 向 750V-1000V 高電壓等級演進。

供電架構集中化是提升整體能效的關鍵方向。在 OCP ORv3 標準推動下,服務器電源正從單機內置模式向集中式機柜電源演進,實現了電源與服務器的物理剝離。功率密度隨之迎來跨越式提升,從第一代的 5.5kW 逐步升級至第二代的 8kW-12kW,第三代產品已突破 22kW;輸出電壓也從 48V/50V 向 400V 升級,通過電壓提升進一步降低大電流傳輸帶來的損耗與發熱。這種集中化架構不僅便于統一維護與管理,更能與液冷系統深度協同,為高功率密度機柜的熱管理提供基礎支撐。

寬禁帶半導體器件的規模化應用則成為突破性能天花板的核心引擎。碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件憑借超高開關頻率、低導通損耗的優勢,有效解決了高壓、高頻場景下的效率與散熱難題。在電源系統中,一次側變換采用 SiC 器件可提升高壓工況下的能效并降低熱耗,二次側多相 DC-DC 轉換引入 GaN 器件則能顯著提升開關頻率,縮小磁元件與濾波器體積,使電源功率密度與動態響應能力大幅改善。英飛凌 650V GaN HEMT 器件效率已提升至 98%,開關頻率達 2MHz,可減少 30% 的無源元件體積,成為高端服務器電源的核心組件。

服務器電源的技術迭代同步對散熱器提出了顛覆性要求,傳統風冷方案已難以應對高功率密度帶來的熱流密度沖擊,散熱系統正從「輔助保障」升級為「核心架構要素」,推動液冷技術加速滲透與設計邏輯重構。從散熱路徑來看,冷板式液冷憑借低導熱阻、高兼容性的優勢,當前市場占比超 95%,可將數據中心 PUE 降至 1.20-1.25,已在 AI 訓練集群批量落地;浸沒式液冷則以低于 1.05 的超低 PUE,成為英偉達 GB300 等超高功率密度服務器的專屬方案,但其較高的改造成本使其目前主要應用于尖端算力場景。產業共識已明確,對于高性能 AI 集群,液冷已從「加分項」轉變為「準入門檻」,過去「先風冷后液冷」的迭代邏輯已被「風冷與液冷同步設計」的新范式取代。


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