50 億砸向硅谷！半導體巨頭組團搞大事。

應用材料（AMAT）正在美國硅谷建設名為 EPIC 中心的研發(fā)基地，并于當?shù)貢r間 10 日宣布，SK 海力士與美國美光科技將作為創(chuàng)始合作伙伴加入該中心。這一合作消息緊隨上月三星電子確認加入之后發(fā)布，標志著全球三大存儲芯片巨頭已悉數(shù)集結(jié)于這一前沿研發(fā)平臺，形成半導體行業(yè)強強聯(lián)合的創(chuàng)新格局。作為全球半導體設備領域的領軍企業(yè)，應用材料此次打造的 EPIC 中心（設備和工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心）總投資高達 50 億美元（約合人民幣 343.83 億元），創(chuàng)下美國先進半導體設備研發(fā)領域單筆投資規(guī)模的紀錄。

頭圖左起：應用材料韓國區(qū)社長樸光善、應用材料半導體產(chǎn)品事業(yè)部總裁普拉布?拉賈、SK 海力士社長兼 CEO 郭魯正、SK 海力士副社長姜裕鐘。

EPIC 中心預計今年正式啟用，是一座由半導體制造廠工程師與設備研發(fā)人員共同開展聯(lián)合研發(fā)的設施。該中心采用開放式創(chuàng)新架構(gòu)，打破了以往設備廠商與制造企業(yè)之間「研發(fā)-采購」的單向合作模式，構(gòu)建起「共同研發(fā)、數(shù)據(jù)共享、協(xié)同優(yōu)化」的雙向互動機制。應用材料公司表示，EPIC 中心的核心目標是通過產(chǎn)學研深度融合，將前沿半導體技術(shù)從實驗室原型到規(guī)模化量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化周期縮短 30% 以上，這一效率提升對于追趕技術(shù)迭代節(jié)奏、降低研發(fā)風險具有關鍵意義。與傳統(tǒng)模式——設備廠商完成開發(fā)后，再由制造廠采購、適配、調(diào)試——相比，這種「并肩作戰(zhàn)」的聯(lián)合研發(fā)模式能夠讓設備研發(fā)更貼合實際生產(chǎn)需求，提前解決技術(shù)落地過程中的兼容性、穩(wěn)定性等問題，從而大幅縮短半導體技術(shù)的商用化周期，為企業(yè)搶占市場先機提供有力支撐。

值得注意的是，EPIC 中心并非封閉的合作平臺，除了目前已確定的三大存儲芯片巨頭作為創(chuàng)始合作伙伴外，未來還將吸納更多材料供應商、晶圓代工廠及系統(tǒng)集成商參與。這種多元化的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟模式被分析人士認為將重塑全球半導體設備研發(fā)格局，特別是在 EUV 光刻膠、原子層沉積、3D 封裝等關鍵技術(shù)領域，有望通過集中行業(yè)優(yōu)質(zhì)資源催生新的行業(yè)標準，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同升級。應用材料半導體產(chǎn)品事業(yè)部總裁普拉布?拉賈表示，EPIC 中心的建立是應對摩爾定律放緩的重要突破口，將為 3 納米以下先進制程工藝的商業(yè)化進程注入強大動力。

SK 海力士的研究人員將進駐 EPIC 中心，重點圍繞高帶寬內(nèi)存（HBM）領域的先進 3D 封裝技術(shù)展開研發(fā)。作為人工智能、高性能計算等領域的核心存儲器件，HBM 的性能提升直接關系到終端產(chǎn)品的運算效率。當前，隨著 AI 大模型的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)處理量呈指數(shù)級增長，內(nèi)存速度與處理器性能之間的「性能鴻溝」日益凸顯，成為制約 AI 技術(shù)進一步突破的關鍵瓶頸。SK 海力士在 HBM 領域擁有深厚的技術(shù)積累，此次與應用材料的合作，將借助設備廠商在工藝裝備上的研發(fā)優(yōu)勢，加速先進 3D 封裝技術(shù)的迭代，提升 HBM 的帶寬、容量與可靠性。

SK 海力士 CEO 郭魯正表示：「人工智能發(fā)展面臨的最大障礙之一，是內(nèi)存速度與處理器發(fā)展之間的差距正在不斷擴大。通過在 EPIC 中心與應用材料合作，我們希望打造一條創(chuàng)新路線圖，推出專為人工智能優(yōu)化的下一代內(nèi)存解決方案。」在技術(shù)路線選擇上，SK 海力士采取漸進式擴張策略，通過與應用材料合作開發(fā)混合式光刻方案，試圖在技術(shù)性能與成本控制之間實現(xiàn)平衡。此次進駐 EPIC 中心，SK 海力士將重點攻克 3D 封裝中的堆疊密度、互連可靠性等關鍵技術(shù)難題，推動 HBM 產(chǎn)品向更高世代演進，以滿足 AI 時代對高性能存儲的迫切需求。

作為另一家創(chuàng)始合作伙伴，美國美光科技的加入進一步豐富了 EPIC 中心的研發(fā)維度。美光在存儲芯片領域擁有獨特的技術(shù)路徑，尤其在 DRAM 制程研發(fā)中采取「有限 EUV」策略，僅在關鍵層使用極紫外光刻技術(shù)，其余工序依賴成熟的氟化氬浸沒式（ArFi）設備和多重圖案化工藝，其核心邏輯是通過最小化先進設備投入，利用現(xiàn)有產(chǎn)線加速量產(chǎn)進程。此次參與 EPIC 中心的聯(lián)合研發(fā)，美光有望將其在成熟工藝上的量產(chǎn)經(jīng)驗與應用材料的先進設備技術(shù)相結(jié)合，探索兼顧成本與性能的創(chuàng)新方案，同時提前布局下一代存儲技術(shù)，鞏固其在全球存儲市場的競爭地位。

三星電子上月也曾宣布，將加入 EPIC 中心，圍繞先進工藝節(jié)點微縮、下一代內(nèi)存架構(gòu)以及加速 3D 集成等方向，開展包括材料工程創(chuàng)新在內(nèi)的研發(fā)工作。作為全球半導體行業(yè)的領軍企業(yè)，三星在 EUV 技術(shù)應用上布局較早，已在先進 DRAM 制程中引入超過五層 EUV 工藝，并持續(xù)擴大應用范圍。此次加入 EPIC 中心，三星將聚焦先進工藝節(jié)點微縮等核心方向，通過與應用材料的協(xié)同研發(fā)，攻克 EUV 光刻中的掩模缺陷控制、光刻膠靈敏度優(yōu)化等技術(shù)難題，進一步提升先進制程的良率與產(chǎn)能。同時，三星還計劃在 EPIC 中心推進材料工程創(chuàng)新，加快關鍵材料的本土化替代進程，降低供應鏈風險，增強技術(shù)與供應鏈的雙重競爭力。

三大存儲巨頭的悉數(shù)加入，使得 EPIC 中心成為全球半導體技術(shù)創(chuàng)新的「核心樞紐」。不同企業(yè)在技術(shù)路線、研發(fā)重點上的差異化布局，將在 EPIC 中心形成互補協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)，既有助于企業(yè)各自攻克技術(shù)瓶頸，也能推動整個行業(yè)形成多元包容的技術(shù)發(fā)展格局。當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)變革與格局調(diào)整的關鍵時期，摩爾定律的演進速度逐漸放緩，先進制程的研發(fā)成本持續(xù)攀升，單一企業(yè)僅憑自身力量已難以應對日益復雜的技術(shù)挑戰(zhàn)。EPIC 中心所代表的聯(lián)合研發(fā)模式，通過整合設備廠商、制造企業(yè)、材料供應商等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的資源與優(yōu)勢，為行業(yè)提供了一種高效的創(chuàng)新解決方案。