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BluGlass通過RPCVD技術減少GaN膜生長雜質

作者: 時間:2013-05-11 來源:網絡 收藏
澳大利亞的公司聲稱使用他們的低溫遠程等離子體化學氣相沉積(RPCVD)技術可以產生理想純度的氮化鎵(GaN)。該公司說,他們的可以產生低含量的碳、氫和氧雜質的氮化鎵,其雜質含量程度可以與金屬有機物氣相沉積的GaN層相媲美。

  知名且獨立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次離子光譜學予以證明,的技術可以將碳、氫和氧雜質的水平控制在每立方厘米為1*1017個原子以下。

  現在計劃對p-GaN層進行優化,并將RPCVD的優點介紹給顧客,包括該技術跟傳統的MOCVD 相比所獲得的LED設備效率的提高。

  BluGlass的CEO Giles Bourne說:“這一成果對于我們公司來說是一個突破,也是給業界和未來顧客證明我們技術實力的關鍵一步。眾所周知,碳和氧抑制了的障礙,所以這兩種雜質的降低將是一個重要的發現。



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