電力MOSFET驅動功率小，采用三極管驅動即可滿足要求，驅動電路如圖4所示。

由于單片機為弱電系統，為保證安全需要與強電側隔離，防止強電側的電壓回流，燒壞MSP430，先用開關光耦進行光電隔離，再經三極管到MOSFET的驅動電路IR210l。MSP430產生的PWM波，經過光耦及后面的IR2101芯片，在芯片的5管腳輸出的PWM波接到MOS—FET的門極G端，使其工作。IR2101是專門用來驅動耐高壓高頻率的N溝道MOSFET和IGBT的。它是一個8管腳的芯片，其具有高低側的輸出參考電平。門極提供的電壓范圍是10～20 V。