從吸收損耗的公式可以得出以下結論：

屏蔽材料越厚，吸收損耗越大；屏蔽材料的磁導率越高，吸收損耗越大；屏蔽材料的電導率越高，吸收損耗越大；被屏蔽電磁波的頻率越高，吸收損耗越大。

干擾源為電場輻射源時反射損耗 [2]，如式（7）：(近場波，高阻抗場)

干擾源為磁場輻射源時反射損耗 [2]，如式（8）：(近場波，低阻抗場)

干擾源為電場源或者磁場源時反射損耗 [2]，如式（9）：(遠場波)

從反射損耗的公式可以得出以下結論：

屏蔽材料的磁導率越低，吸收損耗越大；屏蔽材料的電導率越高，吸收損耗越大。

從以上我們可以得出結論：

A：低頻：吸收損耗很小，屏蔽效能主要決于反射損耗。而反射損耗與電磁波的性質關系很大，電場波的屏蔽效能遠高于磁場波。

B：高頻：隨著頻率升高，電場波的反射損耗降低，磁場波的反射損耗增加，吸收損耗增加，當頻率高到一定程度時，屏蔽效能主要由吸收損耗決定。

C：距離的影響：距離電場源越近，則反射損耗越大。對于磁場源，則正好相反。要獲得盡量高的屏蔽效能，屏蔽體應盡量靠近電場輻射源，盡量遠離磁場輻射源。

2.7磁珠的應用

磁珠由鐵氧體組成，它把交流信號轉化為熱能，當導線中流過電流時，它對低頻電流幾乎沒有什么阻抗，但對高頻電流會有較大的衰減作用。磁珠抑制能力與它的長度成比例。不過磁珠的運用會提高產品溫升，同時降低產品的可生產性，對于高功率密度的小功率電源來說，盡量避免使用。

2.8減緩驅動

增大MOS管驅動電阻，使得MOS管的開通時間與關斷時間增加，使dv/dt值變小。不過這種方式會增加開關管的開關損耗，只有在沒有其他有效解決辦法時推薦使用。比如MORNSUN公司的LH15XX某型號，在確定不能更改變壓器結構與PCB布局情況下，只有增大驅動電阻，犧牲少許的效率來換取輻射干擾達到EN55022 CLASS B指標。

3 案例

圖2是采用無錫硅動力(Si-power)SP56XX系列芯片(含抖頻，降頻和跳頻技術)做的小功率模塊電源產品（37*23*15mm），功率為5W，開關頻率65KHz,通過精心的設計，在沒有圖1中輸入EMI濾波電路和無Y電容的情況下，使產品的傳導和輻射指標分別滿足class A級和B級的要求，并能滿足最新的能源之星V的標準，圖3、圖4是該產品的EMI測試圖（產品通過了UL/CE認證）。由于電路簡單，元件少，該系列電源在批量生產時不良率僅為50PPM。

4 結論

高功率密度是電源發展的一個方向，小功率反激電源也一樣。不過由于小功率電源要求體積小，成本低，它的EMI設計受到體積、熱設計和易生產性等方面的影響，可以發揮的空間已經很小。需要設計人員從開始階段就要注意PCB布局，注重電源的結構設計與輸入輸出濾波網絡設計，優化變壓器設計，設計中期通過更改輸入EMI濾波器參數進行現場調試，調試沒有效果的情況下通過增加磁珠，改變驅動等犧牲其他性能的方式達到傳導和輻射指標。