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國內LED關鍵設備MOCVD如何實現“彎道超越”

作者: 時間:2014-05-09 來源:科技日報 收藏
編者按:在技術領域,從來沒有“彎道超越”一說,永遠只有一點一滴的技術積累。

  5月7日,第十三屆全國學術會議在半導體照明產業重要基地——江蘇省揚州市召開。來自大陸和臺灣、香港兩地的500多名科研院所和國家“千人計劃”的專家與企業家,共同就我國(金屬有機化合物化學氣相淀積,是金屬有機化學氣相沉積外延片爐,用于生產芯片)行業技術創新、市場應用、發展現狀以及未來趨勢等進行深入研討,并集中發布一批最新科技成果。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/246600.htm

  從此次會議上了解到,我國半導體照明產業自列入“十一五”中長期發展規劃以來,在國家和地方政策的重點扶持下,通過政產學研合作途徑,加大技術創新力度,攻克了一些關鍵性技術難題,產業快速向上衍生,應用與封裝發展水平與國外基本持平。尤其是上游原材料以及設備更是迎頭趕上,用于照明用的大功率的特性襯底技術,加工穩定性以及對外延效率與國外相比,差距快速縮小。同時,外延片的亮度、內量子效率、抗靜電能力、抗漏電能力以及品質控制水平等,與國外知名企業的產品差距不大。目前,紅黃光、顯示用LED外延已非常成熟,照明用LED外延技術也已經達到較高水平。到去年底,從MOCVD技術發展來看,關鍵技術產品替代進口達75%左右。專家認為,盡管我國MOCVD已形成一個高科技產業,但我國整體與國外仍有明顯差距,核心技術還依靠進口,急需重點突破,我國才能夠實現“彎道超越”。

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關鍵詞: LED MOCVD

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