圖6是導通孔的材料使用導電膠的方式。使用多層板的層間連接所用的銅(Cu)，銀(Ag)和燒結合金等材料，通過壓接或者金屬結合而連接元件。

　　圖6表示了在聚酰亞胺多層板上嵌入經過背面研磨而薄型化的WLP例。嵌入的LSI經過WLP加工使電極的節距擴大到與PCB的導通孔同樣的節距，厚度達到0.1 mm以下的薄型化。基板上形成的導通孔填充未固化的導電膠，基板/WLP和隔板(Spacer)/基板積層，一次加熱加壓。加熱過程中依次進行導通孔中填充的導電膠固化，粘結材的流動和固化，同時完成了PCB/WLP之間的電氣連接和嵌入粘結。利用導電膠導通孔的一次積層法中，由于在PCB的積層與元件的嵌入以前已經形成全層的線路，所以具有降低元件嵌入以后所發生的不良率的優越性。為了使該工藝適應將來的LSI的多針化，與裸芯片連接的導通孔節距的微細化是今后的課題。

　　4.2 芯片安裝(Mounting)方式

　　圖7表示了使用激光導通孔加工和鍍層連接的元件嵌入工藝。把嵌入的元件置于基板的一部分上設置的空腔(Cavity)內，然后用樹脂填充而嵌入元件。使用厚銅(Cu)芯的基板，利用銅(Cu)的蝕刻形成空腔。芯板一面上貼附樹脂片，堵塞空腔的一側以后，在它的底面上固定元件?？涨坏拈_口側積層樹脂片并進行加熱，空腔內壁與元件的間隙用樹脂填充使元件固定。嵌入元件的電極上的樹脂形成激光導通孔開口。采用半加成法形成基板表層線路的同時采用鍍銅(Cu)層填充導通孔?；逭疵娴倪B接，空腔形成時預先在銅(Cu)芯的一部分開口，充填樹脂以后采用激光形成貫通孔。采用該技術的基板具有優良的導熱性，尤其是嵌入發熱量多的元件時具有高散熱性的特征。

　　圖8表示了利用一次積層法的元件嵌入工藝的概念圖，作為利用導電膠的一次積層法的無源元件埋入技術，Ag-Sn系合金材料用于導通孔，LCP用作絕緣材料。配置元件處形成空腔的單面板積層規定的枚數，與此同時元件插入空腔以后進行加熱加壓。導通孔內填充的由Ag和Sn構成的膠材料由于加熱而燒結，與此同時Sn擴散到線路板和元件的Cu電極上形成金屬結合。熱可塑性材料LCP(Liquid CrystalPolymer)由于加熱而軟化，使基板之間接合，與此同時流入到元件與空腔的間隙而嵌入元件。加熱加壓過程中由于樹脂的流動影響到導通孔形成，元件與小型基板的間隙附近存在導通孔時，樹脂流通的精確控制對于確保連接可靠性至關重要。