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基于SiC器件的高效E類功率放大器

作者: 時間:2014-07-17 來源:網絡 收藏

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/259352.htm

圖7 漏極隨工作電壓的變化曲線

圖8 附加隨工作電壓的變化曲線

6 結論和展望

本文設計,仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段,輸入輸出阻抗匹配電路均采用微帶線實現。在工作電壓設為35V,輸入功率為2.5W的情況下,實際測量的輸出功率可以達到32.5W,在頻率為900MHz附近,漏極可以達到64%,增益可以達到10dBm。從以上特性可以看出,基于SiC器件的E類功放具有很好的性能,在新一代的無線通信中將會有廣闊的應用前景。


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關鍵詞: SiCMESFET E類功率放大器 效率

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