與導體表面網格尺寸限制相比，相同尺寸限制條件下介質內部限制的仿真工作量要遠遠大于導體表面網格尺寸限制。

　　基于上面的分析，對限制區域進一步精簡(如圖9，區域寬度為傳輸線截面寬度)，得到2H、H、1/2H條件下S21插入損耗與相位(如圖10)和TDR損耗曲線(如圖11)的對比結果。

　　圖9 介質內部網格尺寸限制區域(精簡后)

　　圖10 介質內部網格尺寸限制下損耗和相位仿真結果(精簡后)

　　圖11 介質內部網格尺寸限制下阻抗特性仿真結果(精簡后)

　　4.分析總結

　　根據前文中不同限制條件下得到的結果，對幾種能夠適用于工程實踐的網格限制方法進行對比分析，分別如下：

　　a) 無限制，作為參照組;

　　b) 基于導體表面網格劃分限制，最大尺寸為1/2H;

　　c) 基于介質內部網格劃分限制，限制區域寬度為3H，最大尺寸為H;

　　d) 基于介質內部網格劃分限制，限制區域寬度為傳輸線寬度，最大尺寸為H;

　　e) 測試結果，作為參考。

　　自適應后的網格劃分結果對比如圖12，其中，b與c的網格分布與實際的電磁場分布更加匹配。

　　圖12 不同劃分方法下自適應后的網格劃分結果

　　損耗與相位的仿真與測試結果對比如圖13，TDR阻抗仿真結果對比如圖14，表為仿真工作量對比結果。b與c的損耗仿真精度優于d;b、c、d的阻抗仿真精度接近;仿真工作量d、c、b依次增加。綜合考慮，b與c在工程實踐中能夠兼顧精度和效率。

　　圖13 不同網格劃分方法下損耗和相位仿真結果

　　圖14 不同網格劃分方法下阻抗特性仿真結果