GaN技術和潛在的EMI影響
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最后，我用R&S RS H 400-1 H場(H-field)探針(圖8)來量測GaN組件附近的近場和通過負載電阻器的高頻電流(圖9)。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/277867.htm
圖8使用R&S RS h400-1 H場探針測量接近GaN開關裝置近場輻射。
圖9 H場探針測試結果。黃線是環境噪聲位準，紫線是GaN組件附近的測量，藍線則是在10奧姆的負載電阻，輻射終于在約800MHz處逐漸減少。
注 意(除了所有寬帶噪聲位準，峰值出現在約220 MHz)振鈴頻率(標示1)，以及在460MHz(標示2)的諧振。從過往的經驗，我喜歡把諧波位準降到40dBuV顯示行(Display Line)，也就是上面幾張屏幕截圖中的綠線。兩個共振都相當接近，并因而導致“紅旗”。
GaN組件價值顯著
GaN 功率開關的價值很明顯，效率也比MOSFET來得好。雖然GaN技術已問世，但我只看到少部分數據談論這些皮秒開關裝置如何影響產品EMI的發生。底下我 列出了一些參考，以及在使用GaN組件時，會“掃大家興”的部分，但我相信有更多研究需要去完成EMI會發生的后果，至于EMI工程師與顧問在未來幾年也 將可望采用GaN組件。
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