國家戰略與意志 存儲芯片不容有失

　　為了推動自主存儲芯片的發展，我國以國家戰略和意志建設半導體產業鏈，設立國家集成電路產業投資基金，一期投入人民幣1200億元，初期規劃5年，共計6000億元規模資金。重點扶植項目包括DRAM(內存芯片)、3D NAND Flash(3D NAND閃存)、NOR Flash(NOR閃存)。

　　現狀：處于"萌芽"的發展初級階段

　　我國存儲芯片的技術水平

　　我國目前僅能批量生產55nm級別的NOR Flash(NOR閃存)，用于主板BIOS芯片等小容量、寫入慢的邏輯芯片。3D NAND閃存也僅在實驗室狀態下，完成9層結構的存儲芯片的存儲器功能的電學驗證。DRAM則干脆處于技術儲備、規劃當中，短期內無量產可能。

　　關鍵：合作伙伴、技術團隊、矽知識產權

　　封裝成型的美光閃存

　　如果靠我國純正血統的技術、團隊在幾年時間追趕國外領先的存儲芯片水平，其難度遠高于我國的大飛機項目，且不論容量大小，不允許有任何失誤。因此我們找到①技術的合作伙伴、②有經驗的優秀團隊以及③矽知識產權，將是加速我國存儲芯片量產的三大關鍵因素。

　　捷徑：整體收購國外存儲芯片廠商

　　韓系海力士是我國潛在的收購/合作對象

　　上敘加速自主國產存儲芯片量產的三大關鍵因素碎片化，如果能夠整體收購國外存儲芯片廠商，可加速實現進程。其中海力士、美光均具備DRAM、NAND Flash的先進核心技術。我國企業收購美光存有一線希望;海力士的市占率更高，收購難度要大，僅存有理論上的收購可能。

　　觀點：存儲芯片自主國產化是根本，收購國外存儲芯片廠家則是拓展加速，雙管齊下的目的是為了加速存儲芯片的自主生產進程。收購國外存儲芯片廠商可謂山窮水復疑無路，柳暗花明又一村，我們遇到什么阻礙，當中有什么轉機?

　　美光獨苗一顆 事關國家安全恐難成

　　技術和市場相輔相成，以2Gb顆粒來換算，2014年我國市場在DRAM(內存芯片)與NAND Flash(閃存芯片)的消化量分別占全球產能19.2%與20.6%，其中我國的NAND Flash消化量有望在2015年突破30%。龐大的市場份額給了我國企業操作海外收購、技術合作的巨大空間，已小有成就。

　　▇我國近期收購美國半導體企業有先例

　　清華紫光近年海外收購頻頻

　　存儲芯片市場即是技術的競爭，更是市場的競爭。①在與國際技術大廠合作上，武漢新芯在今年年初與Spansion合作，展開3D NAND閃存的技術開發。②收購美國半導體企業：武岳峰資本收購美國DRAM(內存芯片)廠商ISSI。

　　■美國僅剩美光獨苗 事關國家安全恐難成

　　清華紫光能否收購美光 還得有"貴人相助"

　　基于閃存的SSD愈發凸顯取代機械硬盤的趨勢，閃存更是在移動設備獨霸天下。內存芯片則是PC和移動設備必需。美國在閃存和內存芯片僅剩美光這顆獨苗，失去美光意味著以后美國淪落到看他人臉色。事關美國國家安全，美國相關機構批準的可能性極低。