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硅基GaN射頻功放:正走向大規模商用

—— 將橫掃LDMOS、GaAs、SiC GaN等功放的大部分市場
作者:王瑩 時間:2015-11-09 來源:電子產品世界 收藏

  硅基潛力大

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/282461.htm

  近日,MACOM在京召開新聞發布會,MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人,“由MACOM發明的第四代——硅基,由于成本大為降低,將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升,也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”

  圖1 GaN的巨大潛力

  如圖1,左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅,就變成右圖,右圖的綠餅是目前GaN的市場,而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。

  至于上圖的左圖中,還有這樣的補充解釋:灰色的手機的功率放大器市場還是會存在的,比如基站、微波點對點回傳網絡設備的市場。只不過MACOM新的GaN產品針對的市場主要用的是LDMOS和在高頻部分用的坤化鎵()的功率放大器。

  另外,MACOM新的GaN產品目標是取代大部分,還有一小部分因為對于性能是最關心的,例如雷達等的應用(如圖2),會采用SiC基GaN。

  圖2 GaN的目標市場

  目前MACOM在GaN市場占有10%的份額,競爭對手有飛思卡爾、NXP、Qorvo等。但是MACOM的殺手锏是第四代GaN,希望以此鞏固和開拓新的市場。

  第四代GaN揭秘

  GaN(氮化鎵),也稱為寬帶隙半導體。MACOM射頻和微波業務高級副總裁兼總經理Greg Baker詳細介紹了其第四代產品的特性:100W時,效率超過70%,19dB增益;效率比LDMOS高出10%;功率密度為LDMOS的4倍,預期成本結構地獄LDMOS。

  為什么硅基GaN成本能跟LDMOS接近?因為GaN比硅成本要高很多。Greg稱,二者硅襯底部分的結構是一樣的,但是GaN的管芯(die)成本確實貴。好處在于GaN放大器管芯部分功率密度是LDMOS的4到6倍,所以管芯尺寸遠遠小于LDMOS的,這樣就可以平衡整體的成本。

  為什么MACOM能硅基GaN?因為MACOM曾收購了Nitronex硅基GaN功放的公司(圖3),這家公司成立于1999年,專注于硅基GaN功放研發的,到目前為止有超過15年的經驗。MACOM是基于Nitronex特殊的技術、經驗繼續發展硅基GaN功放的產品,擁有很多專利。

  圖3 收購Nitronex公司,開拓了硅基GaN市場

  硅基GaN的生產與產能

  關于硅基GaN生產的良率,管芯級的測試是70%到80%的通過率。”隨著我們對生產工藝的熟悉,隨著生產數量越來越多,我們有更多的經驗以后會把通過率再提升一些。”Greg指出。

  出貨量方面,MACOM現在用6英寸的晶圓來生產GaN管芯(die),滿足現在的需求沒有任何問題的。未來,該公司會擴展產能,使用8英寸的晶圓來生產這些產品。

  另在針對中國市場方面,MACOM也注意到大功率功放客戶需求,特別是中國市場的一些特點可能在短期內會有爆發性的需求。因此MACOM會跟一些主要客戶緊密合作,提供長期訂單這種操作方式,即可能跟客戶配合去做一年的需求和訂單計劃,這樣能保證交貨期和總產能能夠滿足客戶的要求。

  產品與應用

  現在MACOM的硅基GaN塑封最高功率可以達到300W,下一步是600W,1000W的現在還是陶瓷封裝的產品。

  從應用上來講,LDMOS轉成硅基GaN,還需要加一些元器件,目前不太可能做成pin to pin(引腳-引腳),因為有一些大功率GaN的產品要用50V的漏極供電電壓。LDMOS通常都是28伏。“但客戶也有很多經驗,一般轉成GaN都不會有太大的難度。”

  圖4 MACOM的GaN的產品系列



關鍵詞: GaAs GaN

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