7月3日，據臺灣媒體報道，中芯國際和Saifun半導體宣布，兩家公司已達成協議，Saifun將從中芯國際獲得90納米生產工藝的知識產權和技術。

　　據悉，此次知識產權收購是中芯國際和Saifun在開發合作方面邁出的第一步，兩家公司未來將在下一代技術上繼續合作。

　　據了解，基于90納米生產工藝的首批中芯國際資料 (NAND)閃存產品樣本已經開始發貨，預計將于今年晚些時候進入市場。這批產品的存儲容量為2GB，采用了Saifun NROM技術，在采用相同技術的資料閃存中密度最大。下一代產品的存儲容量為8GB，將采用Sai fun Quad NROM技術，預計將于2008年初進入市場。