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開關電源技術的發展方向

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作者: 時間:2007-12-06 來源:電子元器件網 收藏

進入21世紀,技術將有更大的發展,主要表現在以下幾個方面。

1.高性能碳化硅(SiC)功率半導體器件

  可以預見,碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料,其優點是:禁帶寬,工作溫度高(可達600



關鍵詞: 開關電源 電源

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