功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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對于前兩點，常規的閉塞技術使下部的NMOS和PNP一起觸發。設定時間結束之后，NMOS關斷，只有PNP保持導通。采用典型的5ms閉塞窗口。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/81041.htm在閉塞窗口內，下部NMOS的導通電阻接近于10W。Toff之后的電壓振蕩創建了非常強的振蕩電流(峰-峰值為幾十毫安)。因此出現在DRV上的電壓可達幾百毫伏。
此殘留電壓觸發Soxyless檢測器，因為它要進行所需的“谷點”檢測。如有閉塞窗口可不考慮這些錯誤的信號。
產生漏極電壓變化的振鈴電流是替代方案。
·正向自由振鈴柵極電流通過PNP流到地。因此，飽和電壓的范圍為1.5V。電壓大大低于功率MOSFET的柵極門限，因此不會使其導通。
·負向自由振鈴柵極電流由鉗位Q2 N FET通過電流鏡像進行處理。
此有源負向鉗位的目的是確保在器件驅動輸出上建立虛擬地。
這種電路的第一個難點，一方面是接近+/-15mA的電流容量，另一方面是要檢測100mA范圍內的微小電流。
Soxyless檢測系統的動態范圍約為150。
在負電流情況下，電壓不能遠低于2V，以免使體二極管導通。Q2的自啟動必須精確。
強大的驅動電流容量不能影響速度檢測。Q2柵極的有源偏置可以自調整鉗位電路。
電流鏡像可以方便地處理Soxyless電流信號。
快速比較器檢測到ZCD時刻，然后提供“谷點”信號。
試驗結果
Soxyless技術已經在硅集成上實現。驅動器控制典型的準諧振SMPS。
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