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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

作者: 時間:2009-04-24 來源:電子產品世界 收藏

  【主要特性】

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/93793.htm

  1. 主機接口

  符合串行ATA 2.6標準,

  兼容Gen1:1.5 Gbps和Gen2:3.0 Gbps。

  支持高達95 MB/秒的讀訪問速度和高達50 MB/秒的寫訪問速度。

  * 采用Crystal Disk Mark 2.2測量。實際速度取決于閃存連接結構和系統環境。

  2. 支持的閃存

  GBDriver RA2 控制器支持所有廠商最新的2KB/頁和4KB/頁結構的閃存及其最新產品。與SLC和MLC閃存兼容。實現了128 MB到32 GB (SLC)

  和256 MB到64GB(MLC)的SATA閃存存儲容量。

  3. 適用于所有存儲塊的靜態負載平衡功能

  獨造的靜態負載平衡算法,可以計算出各內存塊的擦寫次數,并能均應地替換存儲塊。靜態塊(如OS/FAT)也能被定期均勻地替換,使安裝的

  閃存壽命實現最大化并極大地延長閃存存儲器的壽命。可任意設置靜態負載平衡范圍(超出靜態負載平衡范圍內的區域采用動態負載平衡管理)。

  4. 改進的斷電耐受性

  在寫數據時如發生斷電,獨創的算法可全面預防并行數據錯誤,不讓錯亂的數據寫入。

  5. 糾錯和恢復

  閃存鑒別功能采用8 bit ECC或15 bit ECC來提供糾錯能力,為適應未來的發展預留了空間。自動恢復功能包括在重復讀取數據時自動糾正位

  錯誤(讀干擾錯誤)。

  6. 128 bit AES自動加密

  128 bit AES加密功能自動加密數據并將其寫入閃存,以防個人數據和機密信息被泄露和篡改。

  7. 其他功能

  (a) 總簇數量設置功能(裁剪功能)

  可按獨立的簇單位調高或調低分配給數據區的邏輯塊數量。例如,可通過減少數據區邏輯塊的數量來提高可寫入數據的次數。反之,如果應用不需

  要長命,可通過增加數據區邏輯塊的數量來加大存儲容量。

  (b) 保護功能

  采用 ATA 標準保護功能。用戶能夠設置和取消密碼以保護重要數據。

  (c) SMART命令支持

  可通過智能命令獲得所有內存塊數據的擦寫次數,以便確定閃存狀態和進行相應的壽命管理。

  8. 解決方案支持

  自2000年開始自主研發和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器,依托其先進技術為日本和國外客戶提供技術支持,包括派遣現場應用工程師和實施

  可靠性監控工作,嵌入式系統市場對此有強烈需求。

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關鍵詞: TDK NAND

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