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3d-nand 文章 最新資訊

長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

  • 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項目負責人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設(shè)現(xiàn)場三期擴產(chǎn)與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
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Material公司的電池為每個角落提供電力

  • 動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設(shè)備，這些產(chǎn)品有著一個共同點：都需要電池供電。理想狀態(tài)下，電池能精準適配各類不規(guī)則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現(xiàn)這一點。曾參與設(shè)計梅賽德斯 - AMG 馬石油車隊賽車、助力該車隊拿下七連冠的工程師 Gabe Elias，聯(lián)合創(chuàng)立了一家初創(chuàng)企業(yè)，推出電池 3D 打印技術(shù) —— 可將電池直接打印在設(shè)備表面，填充各類設(shè)備和交通工具中的閑置空間。該公司近期與美國空軍簽下一份價值 125 萬美元、為期 18 個月的合同，旨
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長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產(chǎn)

  • 存儲器缺貨嚴峻持續(xù)擴大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場，導(dǎo)致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長江存儲傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)定，以避免發(fā)生斷供、企業(yè)裁員的惡性沖擊。供應(yīng)鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領(lǐng)頭羊，近來低調(diào)切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)領(lǐng)域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發(fā)，預(yù)計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經(jīng)封頂，并將以DRAM為擴產(chǎn)重心。 隨著在產(chǎn)
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卷翻內(nèi)存市場 中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

  • 全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關(guān)注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預(yù)估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。 然而，當?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產(chǎn)
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240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

  • 美光新加坡工廠預(yù)計將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。
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240億美元！美光擴建新加坡NAND晶圓廠

  • 隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進半導(dǎo)體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產(chǎn)能力，預(yù)計將于2028年下半年投產(chǎn)。據(jù)了解，美光科技此次宣布在新加坡建設(shè)的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現(xiàn)有的制造園區(qū)內(nèi)，240億美元的投資額將在未來10年內(nèi)分階段完成，預(yù)計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產(chǎn)。值得一提
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上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

  • 三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業(yè)級的NAND價格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。市場研究機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

  • 援引市場研究機構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競爭日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測，這將對三星電子和SK海力士的
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蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

  • 1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術(shù)研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求，導(dǎo)致內(nèi)存市場供不應(yīng)求，這種短缺狀態(tài)預(yù)計將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強大的供應(yīng)鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國記憶未來

  • 中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進入香港市場。據(jù)EE Times China報道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬股H股。此次發(fā)行價格為每股162港元，據(jù)報道籌集資金高達46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強調(diào)，GigaDevice既是國內(nèi)DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業(yè)家朱怡明創(chuàng)立。正如36Kr之前報道，2022年至2024年間，GigaDevice累
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

  • 根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態(tài)度，現(xiàn)貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態(tài)度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現(xiàn)貨價格：受強勁的合約價格上漲推動，現(xiàn)貨價格連續(xù)日漲。然而，由于供應(yīng)商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價格已從上
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傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

  • 上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術(shù)。三星的目標是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計總層數(shù)達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協(xié)議的談判。
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SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實現(xiàn)20×更快的讀取速度

  • 存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產(chǎn)品，同時加倍投入先進技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（五級單元）快達20×，Blocks & Files報道。據(jù)報道，SK海力士的多點小區(qū)（MSC）NAND技術(shù)將每個3D NAND小區(qū)一分為二，提升每個小區(qū)的數(shù)據(jù)容量，同時將電壓狀態(tài)數(shù)量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開發(fā)
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兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

  • 一、產(chǎn)品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快
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Metalens 提升顯微 3D 打印精度

  • 借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術(shù)，科學(xué)家們開發(fā)出一種既能實現(xiàn)微觀細節(jié)又能實現(xiàn)高通量的新型3D打印技術(shù)。研究人員建議，他們的新技術(shù)有望實現(xiàn)復(fù)雜納米級結(jié)構(gòu)的大規(guī)模生產(chǎn)。潛在應(yīng)用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復(fù)雜微觀特征最精確的方法是雙光子光刻。該技術(shù)使用液態(tài)樹脂，只有當樹脂中的感光分子同時吸收兩個光子而非一個光子時才會凝固。 雙光子光刻技術(shù)使得體素——相當于像素的三維結(jié)構(gòu)——體積僅幾十納米的器件成為可能。然而，雙光子光刻技術(shù)在大規(guī)模實際應(yīng)用中被證明過于緩慢。這在很大程度上使其成為實驗
  • 關(guān)鍵字： 3D 打印  超構(gòu)透鏡  超材料  雙光子光刻  
共1753條 1/117 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

3d-nand介紹

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