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3d-nand 文章 最新資訊

美光突破PC性能邊界，推出自適應寫入技術與G9 QLC NAND

  • SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
  • 關鍵字： 美光  自適應寫入  QLC NAND  

西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設計與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰(zhàn)。西門
  • 關鍵字： 西門子EDA  3D IC  

DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平

  • TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
  • 關鍵字： DDR4  NAND  

如何讓QLC技術成為主流？

  • 縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
  • 關鍵字： AI推理  QLC  NAND Flash  

2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
  • 關鍵字： 2.5D/3D  芯片技術  半導體封裝  

HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

  • 韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
  • 關鍵字： HBM.NAND  

芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務

  • 上半年，時至過半。回顧這半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領域。在這個過程中會對半導體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內存的消息，想必業(yè)內人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內存）和 DDR5 等
  • 關鍵字： DDR3  DDR4  NAND  HDD  

三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術

  • 據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
  • 關鍵字： 三星  MLC NAND  TLC  QLC  

臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價蠢動

  • 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現(xiàn)短缺。 供應鏈業(yè)者同步透露，金價持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實，確實2025年5月上旬時，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內容指出，
  • 關鍵字： 臺積電  CoWoS  BT載板基材  NAND  主控芯片  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

  • 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
  • 關鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
  • 關鍵字： 3D  射頻傳感器  

閃存，是如何工作的？

  • NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
  • 關鍵字： 閃存  NAND  

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
  • 關鍵字： Sandisk  3D-NAND  

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

  • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  QSPI  NAND  

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性讀取速度，助力應用快速啟動

  • 近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  Flash  NAND  
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