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電子材料出現融合趨勢,協作和多樣化日趨重要

作者: 時間:2009-10-20 來源:半導體國際 收藏

 

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/99081.htm

  圖1. SAFC材料發展規劃線路圖。

  對開發的定期監督非常重要,它可確保材料供應商與當前及未來的行業需求保持步調一致。 對于介入點的選擇和時機,以及需求量,會受到許多可變因素的影響,我們經常分析外部指導方針,例如 ITRS 路線圖、設備開發的趨勢和經濟情況、并結合與客戶合作的經驗對我們自身的研發計劃進行評估。 這樣,我們就能與半導體行業的材料要求保持同步,并在行業要求發生改變時,重新制定我們的材料發展規劃。

  展望未來,除了其它趨勢以外,業內會繼續關注柵極應用的下一代 high-K 技術和電容器應用的 high-K 和 ultra high-K 介電技術,并繼續開發用于 DRAM 的金屬柵極和新型電極材料以及用于銅阻擋層和銅晶種的材料。 我們積極參與了用于相變存儲器 (PCM) 應用的材料的開發,現在正在對它們進行更加細致的評估,因為 PCM 很快就成為替代 NAND 閃存不二選擇。作為一家公司,SAFC Hitech 在開發用于高容量 PCM 應用的鍺銻碲 (GST) 先驅體上已經取得了重大進展。 PCM 是一種非易失性計算機存儲器,它實現了最大特征尺寸的進一步擴展,超過傳統的閃存可能達到的極限,從而提供更大的存儲容量和卓越的存儲性能。



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