半導體產業是整個電子信息產業鏈中最關鍵的產業之一，它為集成芯片產業、LED產業、光伏產業等產業提供關鍵性基礎材料，對整個電子信息產業影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功，引發了第三次技術革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業，使人類進入了信息時代。
半導體產品廣泛應用在電子工業和微電子工業中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態激光器等各種精密原器件。
有
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半導體 氮化鎵
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產品和電源系統方案，用于工業、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。
這策略合作充分發揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產通過授證的公司，并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統設計具備深厚的專知和技術，提供寬廣的陣容產品，從功率分立器件
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安森美 氮化鎵 硅基器件
今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統，結合了該行業最高的生產率與最佳良率這兩大優勢，運營成本低，從而進一步降低通用照明應用的發光二極管(LED)的制造成本。
EPIK700 MOCVD系統采用了Veeco大生產驗證過的TurboDisc技術，具有行業內最大的反應腔，其產能相當于目前的其它反應腔的兩倍多。反應腔的容量增加，再加上腔內波長均勻性以及生產力的提升，與之前的反應腔相比，其產量提高了
我們會探討在高頻降壓轉換器使用最優版圖并在1MHz頻率開關時可實現高于96%效率。降壓轉換器縱然具備最優電...
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我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應晶體管的優勢，以及它具備可實現更高效率和更快開關速度的潛力，為硅MOSFET...
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電子簽名、指紋掃描、以及機器人觸感皮膚之間有什么共同點？得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉化成微型L...
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LED陣列 LED技術 氮化鎵
據中國國防科技信息網報道，美國射頻微系統公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現了從現有高產量、6寸砷化鎵晶圓生產向6寸氮化鎵晶圓生產和研發的轉變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。
RFMD公司總裁兼首席執行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現有高產量6寸砷化鎵生產線上推出業界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術,本文是專為功率系統設計工程師及工程經理而設的連載文章的第一章。我們在未來數個月將介紹應用于電源轉換的氮化鎵技術，并討論其基本設計及輔以應用范例。硅器件已稱王多時
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氮化鎵 晶體管
技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)，日前發布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器，為快速增長的有線電視基礎構架提供了優異的性能。
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電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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增強型氮化鎵電源管理器件的供應商宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity?公司開發出采用高頻氮化鎵(eGaN?)的無線電源展示系統。
WiTricity?公司的無線電源展示系統內含宜普公司的具高頻開關性能的氮化鎵晶體管，該氮化鎵晶體管所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。
WiTricity?的創始人發明了具非常高的共振頻率的無線電源傳送。WiTricity&trade
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無線充電 氮化鎵
目前，世界范圍內在GaN基高亮度LED及半導體全固態照明光源的研發方面居于領先水平的公司主要有：美國的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
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LED 氮化鎵 高亮度 分析
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GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC，并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進的硅集成功率級器件
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