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三星 sdi 文章 最新資訊

拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術

  • 美中貿易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
  • 關鍵字： GAA  臺積電  三星  

三星公布芯片制造技術路線圖，增強AI芯片代工競爭力

  • 據(jù)彭博社報道，當?shù)貢r間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術路線圖，以增強其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預測，到2028年，其人工智能相關客戶名單將擴大五倍，收入將增長九倍。報道指出，三星電子公布了對未來人工智能相關芯片的一系列布局。在其公布的技術路線圖中，一項重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡技術。據(jù)三星介紹，該技術與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時還能顯著降低電壓降。三星還強調了其在邏輯、內存和先進封裝方面的綜合能力。三星認為，這將有助于公司贏
  • 關鍵字： 三星  芯片制造  AI芯片  代工  

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，計劃進軍共封裝光學領域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結構方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
  • 關鍵字： 三星  1.4nm  晶圓代工  

三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡）的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產推出。BSPDN 技術將芯片的供電網(wǎng)絡轉移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進的關鍵技術：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
  • 關鍵字： 三星  工藝制程  BSPDN  

英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

  • 近日，英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產品的質量問題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質量測試。他重申，英偉達與三星的合作進展順利。此前，三星也堅決否認有關其高帶寬存儲（HBM）產品未能達到英偉達質量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
  • 關鍵字： 英偉達  黃仁勛  三星  HBM3e  

2024年折疊手機品牌市占率預估：三星50.4%，華為30.8%

  • 2024年折疊手機出貨量約1,780萬部，占智能手機市場僅約1.5%，由于高維修率、高售價的問題待解決，預計至2028年占比才有機會達到4.8%。三星（Samsung）初入市場作為折疊手機的先驅之姿，在2022年占據(jù)了超過八成市場份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機品牌廠加入競爭，市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場銷量成績優(yōu)異，推動了華為2023年其折疊手機市占率首次突破雙位數(shù)，達12%。20
  • 關鍵字： 三星  華為  手機  

新型存儲技術迎制程突破

  • 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
  • 關鍵字： 存儲  工藝  三星  

華為折疊屏手機出貨量猛增257%，首登榜首

  • 根據(jù)Counterpoint Research的最新報告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機市場同比增長49%，創(chuàng)下了六個季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來看，華為同比增長257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長460%，摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機的銷量猛增257%，市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機：例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
  • 關鍵字： 華為  折疊屏  手機  榮耀  三星  摩托羅拉  

三星預先起訴Oura，以防范潛在專利糾紛

  • 6月4日消息，據(jù)engadget報道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個規(guī)模較小的可穿戴技術競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動。“Oura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內的其他進入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報道。“Oura對Galaxy Rin
  • 關鍵字： 三星  Oura  專利  

三星1nm量產計劃或將提前至2026年

  • 據(jù)外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。報道中稱，三星加速量產1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
  • 關鍵字： 三星  1nm  晶圓  

一季度全球可穿戴腕帶設備蘋果、小米、華為分列前三

  • Canalys最新數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產品組合和海外的快速擴張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內的強勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實現(xiàn)4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響，一
  • 關鍵字： 可穿戴  蘋果  小米  華為  三星  

臺積電領先中國大陸、美國多少？專家爆最短只剩2年

  • 瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術從2028年起，每年提升生產力至少1%，同時他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場，會中暢談全球經(jīng)濟脈動與股市發(fā)展，提到目前最熱門的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術屬于輕資本，且目前已經(jīng)有20%的個人計算機開放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預估2028年開始，生成式人工
  • 關鍵字： 臺積電  三星  

三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

  • 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
  • 關鍵字： 三星  NAND  存儲  

三星否認HBM3E品質問題，聲明巧妙回避

  • 有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調將繼續(xù)合作，確保品質和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產品的品質和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產第五代HBM產品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
  • 關鍵字： 三星  內存  HBM  

李強會見三星李在镕，呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作

  • 當?shù)貢r間5月26日下午，國務院總理李強在首爾出席第九次中日韓領導人會議期間會見韓國三星集團會長李在镕。李強表示，三星對華合作是中韓兩國互利共贏、合作發(fā)展的一個生動縮影。隨著兩國經(jīng)濟持續(xù)發(fā)展、新興產業(yè)不斷涌現(xiàn)，合作的前景將越來越廣闊。李強進一步強調，外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量，歡迎三星等韓國企業(yè)繼續(xù)擴大對華投資合作，分享更多中國新發(fā)展帶來的新機遇。在會見期間，李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領域的合作。李強表示，希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數(shù)字經(jīng)濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領域深挖合作
  • 關鍵字： 三星  人工智能  AI  
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