據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現pb級ssd。

如果上述材料研發順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。

三星高管Giwook Kim將于今年6月發表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）在1000層以上V-NAND技術發展中的關鍵作用。這項成就被認為將推動低電壓和QLC 3D VNAND技術的進一步發展。

此前有消息稱，三星計劃明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，達到430層，進一步提高NAND的密度，并鞏固和擴大其領先優勢。