三星正在推動 Exynos 的卷土重來，有報道稱 Exynos 2600 在內部測試中表現出色。然而，低收益率仍可能阻礙該芯片的更廣泛采用。據韓國媒體 DealSite 援引消息人士的話報道，三星代工廠已開始使用其尖端的 2600nm 工藝量產 Exynos 2。該芯片預計將為即將推出的 Galaxy S26 系列提供動力;然而，采用率可能仍然有限，據說初始產量約為 15,000 片晶圓，約占明年計劃的 Galaxy S30 單元的 26%。此外，Galaxy S 系列還包括 Base
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隨著臺積電2納米制程進入量產最后階段，市場關注度持續升溫。 據韓媒報導，臺積電已針對2納米晶圓訂出高達每片約3萬美元（約新臺幣90萬）的價格，且堅持「不打折、不議價」，藉此凸顯其在先進制程的絕對優勢。 相較之下，三星則選擇逆向作，透過相對低價與快速供貨策略，企圖吸引新客戶。韓媒《Digital Daily》指出，臺積電預計未來34個月內開始進行2納米試產，初始月產能落在3萬至3.5萬片晶圓，并計劃于2026年擴充至四座新廠，屆時月產量可望提升至6萬片。 從良率來看，臺積電2納米初始良率已達到64%至66%
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臺積電為晶圓代工龍頭，技術領先競爭對手，先前甚至傳出2納米的良率高達90%，受到市場高度關注，相較之下，英特爾18A制程的良率大約落在50%左右，距離臺積電仍然有段差距，且英特爾將持續外包PC CPU給臺積電生產，最新的服務器Diamond Rapids的CPU也可能會有部分產能交由臺積電代工。知名科技達人、社群平臺X爆料者@Jukanlosreve貼出瑞銀最新的研究報告指出，未來三年內，2納米將是臺積電第二大制程節點，受惠于智慧型手機、伺服器及PC等產品的帶動。至于對標臺積電2納米的英特爾18A制程，良
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雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節點上獲得了牽引力（據報道來自任天堂的訂單），但它繼續在先進的 3nm 水平上苦苦掙扎。據韓國媒體 Chosun Biz 報道，即使經過三年的量產，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報道稱，谷歌的 Tensor G5 正在轉向臺積電的 3nm，遠離三星。正如 9to5Google 所強調的那樣，據報道，這家搜索引擎巨頭已在未來 3 到 5 年內與臺積電鎖定了 Tenso
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即使面臨美國強力制裁，大陸芯片業的實力并沒有落后世界太多，中芯無法取得生產先進制程芯片所需的EUV設備，但透過較舊的DUV設備就能生產5納米芯片，芯片密度雖遠不如臺積電，但跟三星差不多，再度敲響美國制裁的警鐘，對于中芯來說，最大問題還是良率，雖能生產5納米芯片，但良率據稱只有20%，大幅落后競爭對手。外媒Phonearena報導，華為新款筆記本電腦Mate Book Pro搭載由自行設計的麒麟X90芯片，采用5納米生產，代表大陸具備自主完成5納米設計與生產的技術，引發市場高度關注。由于中芯無法取得EUV機
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隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個戰場，三星正在像英特爾一樣競相通過獲得重大外部訂單來縮小與臺積電的差距。現在，它可能只差一步：根據 Chosun Biz 的說法，Samsung Foundry 已經進入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進行 2nm 性能測試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個基于 GAA 的節點 3nm 上來之不易的經驗現在正在得到回報——據報道，3nm 良率已超過 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據 Sedail
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3月24日消息，分析師郭明錤再度重申，2026年的iPhone 18系列將首發A20處理器，這顆芯片將會使用臺積電2nm工藝制程。他表示，臺積電2nm試產良率在3個多月前就達到60%-70%，現在的良率已經遠在70%之上。此前摩根士丹利（Morgan Stanley）發布的研究報告指出，2025年臺積電2nm月產能將從今年的1萬片試產規模增加至5萬片左右的量產規模。相比3nm制程，2nm制程在相同電壓下可以將功耗降低24%-35%，在相同功耗下可將性能提高15%，晶體管密度比上一代3nm工藝高1.15倍，
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臺積電將于明年下半年開始量產其2nm（N2）制程工藝，目前臺積電正在盡最大努力完善該技術，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺積電員工最近對外透露，該團隊已成功將N2測試芯片的良率提高了6%，為公司客戶“節省了數十億美元”。這位自稱 Kim 博士的臺積電員工沒有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測試芯片或邏輯測試芯片的良率。需要指出的是，臺積電在今年1月份才開始提供 2nm 技術的穿梭測試晶圓服務，因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實際芯片原型的良率，所以應該是指目前最新的2nm技術的
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11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺發布推文，曝料稱從韓國芯片設計行業渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測三星將徹底取消量產 Exynos 2600 芯片計劃。此前援引 DigiTimes 報道，稱 3nm 工藝上遇到的困境，并沒有擊垮三星，反而讓三星“越挫越勇”，正積極布局 2nm 芯片，力圖在 2026 年實現強勢反彈。消息稱三星正積極爭取來自高通和英偉達的大規模訂單，目標是 2026 年初量產。而在此之前，三星計劃在 2025
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根據韓國三星證券初步的預測數據顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達成大規模生產的建議值低了三倍。因訂單量不足關閉代工生產線進入5nm制程時，三星晶圓代工業務就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅持使用自家代工廠，即將發布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領域，臺積電拿
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近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩局面。根據TrendForce集邦咨詢最新調查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續驗證階段。其中SK
hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成
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三星一直想透過3納米技術超車臺積電，但結果始終不如預期，相較臺積電已經取得多位大客戶的訂單，并反映在財報上，三星3納米技術甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅稱「很穩定」自家人韓媒不買賬，直言很多大廠都沒有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產Exynos 2500處理器時，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預期，因此無法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
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6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程，不過據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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臺積電的先進制程技術遙遙領先其他競爭對手，也獲得全球大客戶肯定。不過南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據最新爆料，三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后臺積電。科技網站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺X（前身為推特）的發文報導，三星的3納米制程良率一開始雖然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。盡管三星如今3納米制程良率已達30~60%之間，但Revegnus直言，相較于使用FinFET制程的臺積電，三星的良率數據依然偏低。不過三星對于第二代3納米制程寄予厚望，
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