美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。

該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。

Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮各方的優勢，提高研發效率。如果這項技術成功，軟銀希望優先獲得供應權，為其投資的AI業務（如ARM架構芯片）構建供應鏈協同優勢。

在AI算力需求爆發的當下，HBM因適配AI處理器的數據吞吐需求而成為市場焦點，但復雜制程導致的高成本、高功耗及發熱問題卻日益凸顯。因此，軟銀與英特爾計劃通過采用不同于現有HBM的布線方式：通過垂直堆疊多顆DRAM芯片，并改進芯片間的互連技術（如采用英特爾的嵌入式多芯片互連橋接技術 EMIB），在提升存儲容量的同時降低數據傳輸功耗。實現至少大一倍的存儲容量，同時將耗電量減少40%，并大幅降低成本。

Saimemory并非第一家探索3D堆疊式DRAM的企業，三星早在去年就宣布了開發3D DRAM和堆疊式DRAM的計劃。不過，這些項目的重點在于提升單芯片容量，目標是實現每個內存模塊高達512GB的容量。相比之下，Saimemory的核心目標是降低功耗 —— 這是當前數據中心最為迫切的需求，尤其是在AI計算功耗逐年飆升的背景下。

當前，全球僅有三星、SK海力士和美光三家公司能夠量產最新一代HBM芯片。隨著AI芯片需求的激增，HBM供不應求的情況日益嚴重，Saimemory希望借助這一替代方案搶占日本數據中心市場，甚至進一步擴展其影響力。這也標志著日本時隔二十多年后，首次試圖重返主流存儲芯片供應商行列。

在1980年代，日本企業曾占據全球約70%的存儲芯片市場份額，是當時的行業霸主。然而，隨著韓國和臺灣地區廠商的崛起，1990年代后衰退，市占率暴跌，日本多數存儲芯片企業逐漸退出了市場，僅存材料和設備等領域優勢。

日本存儲器復興野心

AI服務器需求推動HBM價格在2024年上漲超50%，2025年仍供不應求。軟銀和英特爾并不打算在HBM領域直接競爭，而是計劃開發一種能夠顯著降低功耗的“堆疊式DRAM芯片”，這實際上是在尋求重塑市場，而非進入現有市場。Saimemory的替代方案若能在2030年前量產，有望切入日本本土數據中心市場，并憑借低功耗優勢吸引對電費敏感的互聯網企業。

Saimemory將自己定義為一家無晶圓廠芯片設計和知識產權管理公司，這與三星和SK海力士形成了鮮明對比，后者則采用綜合設計和制造存儲芯片的方式。據東京電視臺報道，Saimemory將于7月開始運營，軟銀擔任公司首席財務官，英特爾擔任首席技術官，東京大學擔任首席科學官，一位前東芝高管將擔任首席執行官。

自1980年代失去70%以上的DRAM市場份額后，日本最后一家DRAM制造商爾必達（Elpida）于2012年破產，并被美國美光公司收購，東芝分拆出來的鎧俠（Kioxia）目前只生產NAND閃存。韓國是存儲芯片制造領域的領導者，三星和SK海力士占據了全球DRAM市場73%的份額，以及NAND閃存市場的51%，控制著全球約90%的HBM市場。

日本政府正與軟銀攜手合作，重建該國的半導體產業。去年4月，軟銀開始在北海道建設日本最大的數據中心，投資額達650億日元，其中約45%由政府補貼。該設施位于Rapidus附近，引發了人們對其將從這家新代工廠采購芯片的猜測。據《朝日新聞》報道，日本迄今已承諾向Rapidus投資1.82萬億日元，并為此修改了《信息處理促進法》等法律。

而對于英特爾而言，此次合作亦是其「IDM 2.0」戰略的延伸，通過開放技術合作擴大生態影響力，而非僅依賴自有制造能力。然而，技術落地仍面臨多重挑戰：3D堆疊DRAM的良率控制、量產成本能否真正低于HBM、與現有AI處理器的兼容性適配等均需時間驗證。