在下一代硅介質(zhì)體中實(shí)現(xiàn)高性能集成的擴(kuò)展TSV

• 幾十年來(lái)，半導(dǎo)體的進(jìn)展以納米級(jí)不斷減少為單位來(lái)衡量。但隨著晶體管擴(kuò)展放緩，瓶頸已從器件轉(zhuǎn)向互連，先進(jìn)封裝成為新的前沿。帶TSV的硅中介體實(shí)現(xiàn)了密集的2.5D集成，縮短了信號(hào)路徑，并支持遠(yuǎn)超基板和線鍵所能提供的帶寬。這一發(fā)展的下一波趨勢(shì)反直覺(jué)：更大的TSVs——寬達(dá)50μm、深300μm——刻蝕在更厚的中介體中，帶來(lái)更好的電氣性能、穩(wěn)健的功率輸出、更好的熱處理能力和更高的制造良率。從線鍵到中介體半導(dǎo)體互連技術(shù)的發(fā)展始于引線鍵合，這一技術(shù)曾是 20 世紀(jì)的標(biāo)準(zhǔn)互連方案。隨后倒裝芯片封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，進(jìn)一步縮小
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