力積電 文章 最新資訊
美光或授權(quán)力積電1y納米制程？
- 近日有傳聞稱，美光科技可能將其已停產(chǎn)的1y納米制程技術(shù)授權(quán)給力積電。若消息屬實，此舉將助力力積電在DDR4量產(chǎn)方面取得更大進展。 據(jù)公開信息顯示，力積電與美光科技于1月17日簽署了一份獨家意向書（LOI，Letter of Intent）。根據(jù)協(xié)議，美光科技將以18億美元現(xiàn)金收購力積電位于中國臺灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠的廠房及廠務(wù)設(shè)施（不包括生產(chǎn)相關(guān)機器設(shè)備）。此外，雙方還將建立長期的晶圓代工合作關(guān)系，專注于DRAM先進封裝領(lǐng)域。同時，美光科技將協(xié)助力積電在其新竹P3廠優(yōu)化現(xiàn)有的利基型DRAM制
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目標(biāo) 2029 年量產(chǎn) MRAM 內(nèi)存，力積電將與日企 Power Spin 合作
- IT之家 2 月 8 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，晶圓代工企業(yè)力積電計劃今年上半年與日企 Power Spin 達成合作，目標(biāo) 2029 年實現(xiàn) MRAM 內(nèi)存量產(chǎn)。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關(guān) IP 授權(quán)，力積電進行進一步的量產(chǎn)化研發(fā)和試產(chǎn)，最終達到量產(chǎn)目標(biāo)。▲ 力積電商標(biāo)據(jù)了解，Power Spin 由日本東北大學(xué)于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關(guān)技術(shù)。▲ Power Spin 商標(biāo)MRAM 內(nèi)存是一種非易失性內(nèi)存，其在擁有高
- 關(guān)鍵字： MRAM內(nèi)存 力積電
力積電投資55億美元在日本建廠推動汽車芯片業(yè)務(wù)發(fā)展
- 12月13日消息，力積電將借助日本新建工廠大幅發(fā)展期汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。力積電首席執(zhí)行官黃崇仁在接受媒體采訪時表示：“日本有巨大的機會”，日本具有廣闊的市場前景和眾多車企聚集的地域優(yōu)勢。他補充表示，“目前汽車產(chǎn)品僅占我們銷售額的8%，通過進軍日本市場，我們計劃在未來將這一比例提高到30%”。為了更好地進入日本市場，力積電計劃與金融集團SBI Holdings共同投資8000億日元（約合55億美元）建立合資企業(yè)，在日本宮城縣大平市建造新廠。第一階段，該公司將投資4200億日元，從2027年開始以每月1萬片的規(guī)模
- 關(guān)鍵字： 力積電 汽車半導(dǎo)體 晶圓
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力積電介紹
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