- 今天給大家分享的是：儀表放大器，主要是關于儀表放大器工作原理、公式推導、電路設計。一、什么是儀表放大器？儀表放大器是差分放大器的改進型 ，具有輸入緩沖器，不需要輸入阻抗匹配，適用于測量和電子儀器。特性包括非常低的直流偏移、低漂移、低噪聲、非常高的開環增益、非常大的共模抑制比和高輸入阻抗，儀表放大器用于需要非常高的精度和穩定性的電路中。主要用于放大小差分信號，儀表放大器提供最重要的共模抑制 (CMR) 功能。它消除了在兩個輸入上具有相同電位的任何信號。輸入之間具有電位差的信號被放大。儀表放大器 (In-Am
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儀表放大器 放大器 電路設計
- 今天給大家分享一篇關于晶體管共射極放大器電路的文章（來源于凱尼克斯）。主要是以下幾個方面：共射極放大電路工作原理共射極放大電路設計步驟共射極放大電路分析共射極放大電路性能參數共射極放大電路改進增加放大倍率低壓電源電路差動輸出電路調諧放大電路眾所周知，晶體管是電流控制器件。例如，通過改變基極電流來控制集電極-發射極電流。在一般的電壓放大場合，這種放大效果來自于使用電阻將電流轉換為電壓。在小信號模型中，基極電流的來源是輸入電壓與基極-發射極動態電阻（Rbe）的比值，通常為 kΩ，所以基極電流很小，可能只有零點
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共射放大器 電路設計 放大器
- Infinite Electronics 旗下品牌，業界領先的射頻、微波和毫米波產品供應商 Pasternack 最新擴充大功率放大器產品線，適用于VHF、 UHF、L、S、C、X和Ku頻段的廣泛市場應用。
大功率放大器系列新型大功率放大器的飽和輸出功率為10W至200W，采用堅固的軍用級同軸封裝設計，工作溫度為-40℃至+185℃。Pasternack大功率放大器覆蓋1.5 MHz到18 GHz的寬帶頻率，采用GaN和LDMOS半導體設計。GaN模型在更小的封裝中可表現出高效率，
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Pasternack 大功率 放大器
- 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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功率 MOSFET 工作原理
- 精密微安級高邊電流測量需要一個小阻值檢測電阻和一個低失調電壓的放大器。LTC2063零漂移放大器的最大輸入失調電壓僅為5 μV，僅需消耗1.4 μA的電流，是構建完整的超低功耗精密高邊電流檢測電路的理想選擇（如圖1所示）。圖1. 基于LTC2063零漂移放大器的精密高邊電流檢測電路。該電路僅需2.3
μA至280 μA的電源電流即可檢測100 μA至250
mA寬動態范圍電流。LTC2063非常低的失調電壓使該電路能夠與低至100mΩ的分流電阻配合工作，從而使得最大分流電壓限值僅為25
mV。
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電流測量 精密微安級 LTC2063 放大器
- 單片差分放大器是集成電路，包含一個運算放大器（運放）以及不少于四個采用相同封裝的精密電阻器。對需要將差分信號轉換成單端信號同時抑制共模信號的模擬設計人員而言，它們是非常有用的構建塊。例如，圖1所示的INA134目的是用作適合差分音頻接口的線路接收器。雖然大多數設計人員都感覺這種簡單的構件塊用起來非常輕松愜意，但筆者還是發現在使用它們時有一個方面經常被忽視：差分放大器的兩個輸入端具有不同的有效輸入電阻。筆者所說的“有效輸入電阻”指的是由內部電阻器阻值和運放的運行產生的輸入電阻。圖2展示了INA134的典型配
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TI 放大器
- 圖1所示的模擬優先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進行設計，其中穩壓操作基于最高優先級通道的電壓。該放大器的另一個應用是帶電子節氣門控制的引擎控制系統，其中引擎需要對多個輸入命令中優先級最高的一個作出響應。 圖1. 輸入優先級放大器提供的輸出對應的是四個輸入中具有最大正值的一個。雖然該電路響應正輸入，但通過反轉二極管的方向和重新配置電源即可響應負輸入。 在該電路中，具有最大正值輸出的放大器通過放大器輸出中的正向偏置二極管來控制負反饋路徑。它通過R1、R2、R3或R4（具體取決于哪個
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多通道優先級 放大器 Microchip
- 真?· 技術干貨——設計方程20個常用放大器配置拿好不謝！常用的1%精度電阻值1%精度電阻標稱值10至1M有各種選擇（有1.10M，1.20M，1.30M，1.50M，1.60M，2M，1.80M和2.20M）。下表中給出了最常用精度（1%）下的標稱電阻值，以及典型的可用電阻范圍。將值乘以10、100、1000或10000，即可得到其他阻值。普通電容值
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放大器
- IC設計工程師和電路設計人員都深知電流噪聲會隨頻率增高而變大，但由于關于此領域的資料過少，或者制造商提供的信息不全，許多工程師很難了解其原因。許多半導體制造商的數據手冊，包括ADI在內，都在規格表中給出了放大器的電流噪聲，一般是1 kHz頻率時的噪聲。但并非始終能夠指明電流噪聲參數從何而來。是通過測量得來？或者是理論推斷而來？有些制造商很明白地指出，他們是通過一個公式即散粒噪聲公式得出這些數值的。一直以來，ADI都是采用這種方式提供大部分電流噪聲數值。但這些計算出的數值是否等于各放大器在1 kHz時的噪聲
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IC設計 電流噪聲 放大器
- 1 月 7 日消息，特斯拉 Cybertruck 以其棱角分明的外觀吸引了眾多目光，其雨刮器的獨特設計也引發了熱議。近日，一位 YouTuber 評測了這款電動皮卡，并用了一個詞形容該車的雨刮器 ——“巨型濕面條”。YouTuber Kyle Conner 近期發布了 Cybertruck 的詳細測評，其中重點展示了該車的雨刮器。不同于傳統雨刮器非常堅硬，Cybertruck 的雨刮器似乎格外柔軟。視頻中，Kyle Conner 輕輕松松將雨刮從擋風玻璃上剝離，雨刮就像一根“巨型濕面條”一樣軟趴趴地耷拉了
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特斯拉 Cybertruck 電動皮卡 雨刮器 功率 1KW
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
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pHEMT 放大器 有效偏置 偏置電路
- 國際電信聯盟(ITU)將433.92 MHz工業、科學和醫學(ISM)頻段分配給1區使用，該區域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無線電通信之外的應用，但多年來無線技術和標準的進步使得ISM頻段在短距離無線通信系統中頗受歡迎。ITU 1 區的運營商無需為使用433.92 MHz頻段獲得許可，常見應用包括軟件定義無線電、醫療設備和重型機械的工業無線電控制系統。在美國，433.92 MHz頻段由獲得許可的業余無線電臺使用。任何無線電傳輸應用都需要高增益放大器來驅動天線。根據應
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無線電通信 ITU RF 放大器 電源管理
- 專業的模擬及混合信號芯片設計企業重慶東微電子股份有限公司日前宣布：成功開發并推出其第三代硅基微機電系統麥克風（Silicon MEMS Microphone，以下簡稱“MEMS麥克風”）模擬接口放大器芯片EMT6913。該芯片針對低功耗MEMS麥克風應用而設計，通過采用全新的獨創架構，從而帶來了卓越的音頻信號質量，并具有極高的射頻干擾抑制能力。借助專為EMT6913放大器芯片開發的修調軟件，MEMS麥克風模組（以下簡稱“硅麥模組”）制造企業可以根據不同MEMS麥克風器件的特性和應用系統的特點，將硅麥模組的
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重慶東微電子 抗射頻干擾 MEMS硅麥 放大器
- 相信你們在設計電路中經常會碰到有時序要求的電路，比如說FPGA數字電路的供電，比如我們給模擬放大器的供電，等等。通常來說，我們有sequencers這種產品，其中又分為模擬時序控制芯片和數字時序控制芯片；模擬時序控制芯片，將電源輸出電壓作為輸入信號，實時監測電源輸出，當電源輸出達到閾值時，會給一個類似于power good的電平信號，這樣可以將這個電平信號控制下一級電源的EN，從而控制下一級電源電路的開啟，從而達到時序控制的目的。下圖以ADI 模擬時序控制芯片ADM1085為例，如圖一。數字時序電路類似，
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Arrow LDO 放大器
- 9月14日消息，近日，由工業和信息化部提出、全國汽車標準化技術委員會歸口的 GB/T20234.1-2023《電動汽車傳導充電用連接裝置 第1部分：通用要求》和GB/T20234.3-2023《電動汽車傳導充電用連接裝置 第3部分：直流充電接口》兩項推薦性國家標準正式發布。新標準在沿用我國現行直流充電接口技術方案、保障新老充電接口通用兼容的同時，將最大充電電流從 250 安培提高至800安培、充電功率提升至800千瓦。同時增加了主動冷卻、溫度監測等相關技術要求，優化完善了機械性能、鎖止裝置、使用壽命等試驗
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