Imec在本周的IEEE國際電子器件會議（IEDM 2025）上公布了二維材料晶體管集成的兩項關鍵進展，重點介紹了采用單層WSe?和與行業合作伙伴共同開發的新型晶圓廠兼容工藝模塊的創紀錄性能p型場效應晶體效應晶體管。這項工作進一步證明了二維材料可以將CMOS的尺度擴展到硅之外的論點。這一公告意義重大，因為它顯示了實現可制造2D-FET（可制造性場效應晶體管）的具體工藝層面進展——這一領域與未來的邏輯路線圖、晶體管性能擴展以及歐洲的戰略半導體抱負密切相關。二硒化鎢 p 型場效應晶體管集成技術實現突破近年來，
關鍵字：
晶體管 場效應 晶圓芯片
FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或20mA。FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或
關鍵字：
場效應 管電流源
宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器和人工智能的
關鍵字：
氮化鎵 場效應
本文介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓...
關鍵字：
逆變器 場效應 電源制作
場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求 ...
關鍵字：
場效應 晶體管 放大器
HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管 HVVi半導體推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管（HVVFET?），HVVi的新構架為雷達和航空電子應用提供頻帶、電壓以及功率級，遠遠超過了目前的雙極性和LDMOS技術的性能。這一具有革命性新的正在申請專利的技術使得HVVi達到了可與非硅芯片技術的性能級別，而其成本水平卻極具吸引力。
作為初始發布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構架的最早三款產品。用于L-波段高功率脈沖RF應用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個新產品
關鍵字：
HVVi 高頻 高電壓 場效應 三極管
場效應介紹
您好，目前還沒有人創建詞條場效應!
歡迎您創建該詞條，闡述對場效應的理解，并與今后在此搜索場效應的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473