在電氣化、可再生能源和人工智能數據中心的推動下，電力電子領域正經歷一場變革。安森美（onsemi）憑借創新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術引領這一浪潮，推出的高能效系統重新定義了性能與可靠性的行業標準。本文將解答關于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術對能源與電源解決方案未來發展的影響。01 什么是垂直GaN？它與其他GaN 技術有何不同？目前市面上的GaN 器件通常采用橫向結構，即GaN 層生長在硅或藍寶石襯底上。而垂直 GaN 器件的 GaN 層則生長在 GaN 襯底上。這種垂直設計允許電流
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安森美 垂直氮化鎵 vGaN
隨著人工智能數據中心、電動汽車及其他高能耗應用的全球能源需求激增，安森美半導體（onsemi）正式推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體。該產品為這類應用樹立了功率密度、效率與穩定性的全新標桿。這款具有開創性的下一代 “氮化鎵基氮化鎵”（GaN-on-GaN）功率半導體，通過化合物半導體實現電流垂直傳導，能夠支持更高的工作電壓和更快的開關頻率，從而實現節能效果。這一特性可讓人工智能數據中心、電動汽車（EV）、可再生能源以及航空航天、國防與安防領域的系統變得更小巧、更輕便。亮點專有的氮化鎵基氮化鎵技術可在更高
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半導體 垂直氮化鎵
核心摘要隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直流過化合物半導體，能實現更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI 數據中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。要點●? ?專有的GaN-on-GaN技術實現更高壓垂直電流導通，支持更快的開關速度和更緊湊的設計?！?/li>
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安森美 垂直氮化鎵 垂直GaN
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