安森美垂直氮化鎵（vGaN） 技術(shù)10大高頻問答

• 在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場變革。安森美（onsemi）憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術(shù)對能源與電源解決方案未來發(fā)展的影響。01 什么是垂直GaN？它與其他GaN 技術(shù)有何不同？目前市面上的GaN 器件通常采用橫向結(jié)構(gòu)，即GaN 層生長在硅或藍(lán)寶石襯底上。而垂直 GaN 器件的 GaN 層則生長在 GaN 襯底上。這種垂直設(shè)計(jì)允許電流
• 關(guān)鍵字： 安森美  垂直氮化鎵  vGaN